Главная  Основной закон электрики 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [ 12 ] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28]

прямленного тока и обратного напряжения. На фиг. 14 приведены характеристики предельных режимов работы диодов ДГ-Ц21 н ДГ-Ц22. Из этих характеристик видно, что понижение температуры окружающей среды с 70° С до 20° С дает возможность повысить ток через диод. С другой сто-

1 200-

IOD-


D DJ VJ5!,D Прямое иапрязкение,6

W ко

Фиг. 13. Вольтамперные характеристики полупроводниковых выпрямителей с одинаковыми номинальными выпрямленными токами.

/-германиевый диод; 2 ~ селеновый элемент с msf.-бой диаметром 45 и обратным напряжением 55 в; S- серийный селеновый элемент с шайбой диамет. ром 45 мм и обратным напряжением 18 в: 4-серийный купроксный элемент диаметром 40 мм с обратным напряжением 6-S е.

роны, ИЗ ЭТИХ же., характеристик следует, что. недогрузка диода по току дает возможность повысить обратное напряжение. Так, например, для ДГ-Ц22 при температуре +50° С и среднем выпрямленном токе 300 ма допустимое обратное напряжение равно 100 в, а при той же температуре и токе 100 ма допустимо обратное напряжение в 150 в. Объясняется это тем, что при повышении тока через кристалл происходят его саморазогрев и электрическая прочность диода снижается.



Плоскостные германиевые диоды весьма перспективны. В ближайшее время промышленностью будут освоены и изготовлены новые типы ДГ-Ц с такими параметрами, которые дадут возможность их использования в качестве выпрямительных элементов взамен ламповых кенотронов и селеновых столбиков.

Кремниевые диоды. Кремниевые диоды с точечным контактом изготовлялись и применялись значительно раньше.

I 100

.ДГ-Ц

о 100 200 300 т 500-Средний быпрямлЕнныйткма :


Средний быоршлениыйток ма

Фиг. 14. Предельные рабочие режимы диодов • ДГ-Ц21 и ДГ-Ц22.

чем германиевые. Однако вследствие технологических трудностей, связанных с изготовлением монокристаллов кремния, и несовершенства технологии их производства эти диоды могли работать лишь при малых обратных напряжениях, что привело к их замене германиевыми диодами. Принцип работы, устройство и вид вольтамперной характеристики кремниевого диода почти не отличаются от германиевого. В настоящее время в результате усовершенствования технологии изготовления кремниевых диодов намечается тенденция возврата к использованию кремниевых кристаллов, особенно для плоскостных диодов на большие токи. Однако до сих пор промышленного изготовления таких диодов еще не имеется.




И: Описанный в литературе опытный плоскостной кремниевый диод схематически показан на фиг. 15. Площадь контакта достигает 0,05 см. Основным кристаллом является кремний с проводимостью типа п-р. Для получения контактного перехода типа п-р кристалл кремния сплавлен с алюминиевой пластинкой. Особенностью этого диода является устройство для отвода тепла от кристалла, для чего использован массивный медный радиатор. Один из электродов, соприкасающийся с алюминиевой пластинкой, выведен на радиатор, а другой, контактирующий с кремнием, - через стеклянный впай в верхней части радиатора. Полость, образуемая внутри радиатора, заполнена хорошо проводящими теплоту материалами.

Обратный ток такого диода приблизительно в 4 раза меньше, чем у обычного германиевого диода. Прямой ток при напряжении -- I в составляет

приблизительно 10 а, что соответствует плотности тока в 200 й/сж2. Малое падение напряжения на диоде и хороший отвод тепла от кристалла позволяют сохранять его параметры при сравнительно широких пределах изменения температуры окружающей среды.

Фиг. 15. Устройство плоскостного кремниевого диода.

I- алюминиевая пластинка; 2-кристалл кремния; 3 ~ сварной контакт; 4- анодный контакт; 5 - керамический наполнитель; 6 - стеклянный впай; 7- вывод анода; 8- медный радиатор.

6. ТЕРМОСОПРОТИВЛЕНИЯ

Термосопротивлениями или термисторами называют такие сопротивления, в которых используется свойство изменять свою величину в зависимости от температуры. В общем случае величина сопротивления изменяется в соответствии с выражением

R = Ae

где Г -абсолютная температура сопротивления; А и а - коэффициенты, зависящие от материала и размера термосопротивления.

Как правило, термисторы изготовляются из полупроводниковых материалов с отрицательным температурным коэффициентом. Наряду с такими полупроводниковыми термисторами могут быть также применены! 0 другие сопротивле-



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [ 12 ] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28]

0.001