воздействием извне приложенного напряжения металлический проводник имеет отрицательный, а полупроводник по-лол<ительный потенциал, то электроны в проводнике и электронные дырки в полупроводнике двигаются к месту контакта и рекомбинируют. В результате в цепи будет протекать большой ток при малом сопротивлении контакта. Это и будет прямой ток /

Если к металлу приложить обратйое напряжение, т. е. положительный потенциал, то электроны в проводнике и электронные дырки в полупроводнике будут уходить от места контакта, вследствие чего их концентрация вблизи контакта значительно уменьшится и на границе контакта с полупроводником образуется тонкий (10~-4-10" сл) запорный слой, обладающий очень большим сопротивлением. Вследствие этого обратный ток / будет мал.

Эффект действия и образования запорного слоя еще сильнее выражен в плоскости контакта двух полупроводников с разными типами проводимости, т. е. в диодах типов п-р или р-п. При приложении к полупроводнику типа р положительного, а к полупроводнику типа п отрицательного потенциала, электронные дырки в области р и электроны в области п увлекаются полем к контакту полупроводников, рекомбинируют там и образуют ток / определенной величины. По мере увеличения приложен-- ного к полупроводникам напряжения уменьшается толщина запорного слоя и уменьшается сопротивление контакта. Одновременно с уменьшением толщины запорного слоя происходит увеличение его проводимости под воздействием усиливающегося электрического поля. В результате одновременного действия обоих явлений в запорном слое происходит резкое уменьшение его сопротивления, чем и объясняется крутой подъем вольтамперной характеристики уже при небольших напряжениях U.

При приложении к полупроводнику типа р отрицательного потенциала, т. е. при обратном напряжении обр электронные дырки и электроны будут оттягиваться от плоскости контакта. При этом толщина запорного слоя и его сопротивление увеличатся, а через контактную пару (диод) потечет небольшой ток обратного направления Jgp-

1 Селеновые диоды. Эти диоды и их соединения широко Используются в технике для выпрямления переменного тока. Контактную пару селенового диода составляют слой селе-

на нанесенный на подкладку (металлическую шайбу) металл (сплав олова с кадмием). Обычно к селену, идущ му на изготовление диодов, добавляют в очень малом кол!" честве иод или хлор. Этипримеси уменьшают сопротивлени" диода в пропускном направлении тока и компенсируют flejf ствие других примесей в селене, вызывающих повышение сопротивления диода.

Подкладка вентиля (нижний электрод диода) штампуется из листов мягкой стали или алюминия толщиной О 8- 1,5 мм. Для вентилей, рассчитанных на малые токи, под кладка штампуется в виде дисков диаметром менее 10 мм Для более мощных выпрямителей применяется подкладка в виде шайб с наружным диаметром до 120 мм.

Нанесение слоя селена в большинстве- производств осуществляется намазыванием аморфного селена на горячую подкладку или расплавлением на подкладке порошкообразного селена. В последнее время все большее распространение получает более совершенная вакуумная технология изготовления селеновых вентилей. При этом улучшаются качества вентилей как в отношении параметров вольтамперной характеристики, так и в отношении срока службы диодов. Одновременно значительно уменьшается расход селена. При вакуумном способе производства селеновых вентилей тонкие листы алюминия покрываются в вакууме с одной стороны висмутом. Затем при нагреве листов до ПО-ISCC на слой висмута наносится («напаривается») слой селена толпцшой примерно в 0,065-0,085 мм.

Верхний электрод (катод) наносится на поверхность селена. В качестве материала для него используется сплав олова с кадмием. Иногда в сплав вводят, кроме того, висмут. Нанесение верхнего электрода осуществляется путем иабрывгивания расплавленного металла при помощи специального металлизатора или осаждением (напариванием) слоя металла в вакууме.

Для предотвращения короткого замывания между подкладкой и верхним электродом последний наносится не иа всю поверхность вентиля. Рабочая поверхность вентиля с

1 Селен является металлоидом (аналогом серы), обладает атомным весом 79,2 и удельным весом 4,78, плавится при температуре 217° С. Черный стекловидный аморфный селен размягчается при температуре 50-60° С и при более высоких температурах переходит в сеоый кристаллический селен.

Технический селен получается как отход в процессе электролитического рафинирования меди, а также при камерном процессе пр

ении.

изводства серной кислоты из колчедана различных месторожд

(ггвёрстйя е подкЛадКе для стйЖного боЛта сб-ytieTOM ерно 75% всей поверхности подкладки.

Пбыано селеновые вентили собираются в комплекты бики). Конструктивное оформление такого комплекта " аеляется* его назначением, мощностью и размерами ис-дуемых вентилей. На фиг. 8 показан пример сборки °ггенового столбика, типичный для вентилей с наружным диаметром шайб от 18 жж и выше. На изображенный здесь

Фиг. 8. Детали селенового столбика.

/ - монтажный металлический болт (или шпилька); 2 - металлическая гайка; 3 - металлическая шайба; . - изоляционная шайба; 5-контактная шнна от анода; 6 - анод; 7 - слой селена; 8 - катод; 9 - изолирующая шайба; 10 - пружинящая шайба; U - контактная шнна от катода; 12 - изолирующая трубка.

монтажный болт / можно насадить нужное число шайб. Контактные шины позволяют осуществить требуемое соединение вентилей n-Q заданной схеме.

Наиболее распространенные схемы соединения выпрямительных столбиков и соответствующее расположение выпрямительных шайб показаны на фиг. 9. Размер и количество вентилей выбираются в соответствии с заданными значениями выпрямленного напряжения и тока.

Выпрямтдтели,фассчитанные на малые тоКи нагрузки, собираются обычно из шайб диаметром 5-10 мм. В качестве примера такого выпрямительного столбика на фиг. 9,г показан вентиль из 50 последовательно соединенных диодов с диаметром 7 мм. Элементы / помещены в трубчатую обойму 2, изготовленную из полистирола (материал с высококачественной изоляцией). Эта трубка предохраняет от короткрго замыкания между отдельными дисками и служит для них