Главная  Пленочные термоэлементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [ 33 ] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

4<< .-к


Рис. 2.14. Рост пленки РЬТе на слюде при температуре подложки 300° С при увеличении 30 ООО (а, б, г) и 75 ООО (в)

СЛЮДЫ в параллельных и антипараллельных позициях, а также (по данным [69]) прямоугольные кристаллики с ориентацией (001) [110] РЬТе II (0001) [010] слюды. Появление кристалликов двух видов связано с их зарождением на двух типах дефектов слюды, которые создают ответные дефекты разного типа в зародышах [129]. ]\1икроучастки[.нленки РЬТе на слюде, ориентированные гранью [001] параллельно подложке, отмечены также в [82].

Электронно-микроскопические снимки реплик, приведенные в [135], демонстрируют последовательные стадии роста пленки теллурида свинца на слюде при температуре конденсации 300° С (рис. 2.14). При средней толп;ине пленки менее 1 нм наблюдают-




Рис. 2.15. Электронно-микроскопический снимок пленки на просвет при увеличении 15 000 [135]

ся треугольные зародыши размером 30 нм со средним расстоянием между ними 100 нм (см. рис. 2.14, а). При увеличении средней толщ,ины пленки возрастают размеры зародышей, но не их число, что связано с ростом пленки без коалесценции при конденсации теллурида свинца на слюде. При средней толщине пленки 10 нм . -4. (см. рис. 2.14, б) зародыши перекры-

W ) >f ваются с образованием шеек между

ними, при этом, однако, каждый зародыш стремится сохранить тетраэд-рическую форму. На рис. 2.14, в показана стадия образования сплошной itak 4 1 Г- " пленки. В местах слияния частиц plW%JV l"*?!! сохранились углубления з форме . J .. канавок на поверхности пленки,

имеющие тенденцию к ориентации по направлениям контуров зародышевых частиц (направление [110]). При толщине пленки 410 нм канавки сохраняются, но в меньшем количестве (см. рис. 2.14, г). Сопоставление рис. 2.14, г с электронно-микроскопическим снимком пленки на просвет (рис. 2.15) показывает, что после того, как пленка становится сплошной, происходит частичная рекристаллизация островков, образованных из сросшихся зародышей антипараллельной ориентации. В результате рекристаллизации возникают домены одной ориентации, окруженные замкнутыми петлями двойниковых границ, ориентированных перпендикулярно подложке и лежащих предпочтительно в плоскостях (112) РЬТе. Петли двойниковых границ видны на рис. 2.15. Канавки, наблюдаемые на рис. 2.14, в, г, являющиеся выходами двойниковых границ на поверхность пленки, образуются путем предпочтительного испарения или поверхностной диффузии материала пленки из приграничной области. Последующие рекри-сталлизационные изменения структуры пленки состоят в округлений острых углов двойниковых границ по мере увеличения толщины пленки, в превращении границ в цилиндрические поверхности с образующей, расположенной наклонно к поверхности пленки по направлению [100] [129]. В результате округления острых углов доменов двойниковые границы выходят из кристаллографической плоскости регулярной двойниковой границы и, по существу, становятся подобными большеугловым границам. Однако в отличие от обычных большеугловых границ с нерегулярной структурой, рассматриваемые границы имеют частично регулярное строение. Они не заряжены и, кроме того, могут содержать дислокации. Если в результате рекристаллизации смыкаются два домена с одинаковой ориентацией, то окружающие их больше-




Рис. 2.16. Поверхность пленок РЬТе на слюде при = 390° С (а), 410° С (б) и 420° С (в) при увеличении 15 ООО


угловые границы в месте кон- такта аннигилируют. Сохра- % \

няющийся при этом малоугло-

вой поворот компенсируется ди-слокационной стенкой, которая образуется в месте контакта. Эти стенки в пленках РЬТе на слюде могут состоять из одной системы краевых дислокаций \ или двух пересекающихся систем винтовых дислокаций ив большинстве случаев распола-гаются в плосйости (110) РЬТе 1129].

Исследования [135] структуры пленок, напыленных при разных температурах подложки и постоянной скорости роста 0,5 нм/с, показали, что при температуре подложки 40-170° С образуется мелкозернистая структура, при температуре 170° С на поверхности пленки появляются канавки, которые при повышении температуры подложки до 250° С становятся сходными с рассмотренными выше выходами двойниковых границ на поверхность пленки. Помимо этого, на гладких участках пленки при температуре подложки 230° С наблюдаются небольшие треугольные пятна, являющиеся выходами отдельных дислокаций на поверхность пленки. При температуре подложки 250°С эти пятна исчезают. Аналогичный вид поверхности плепки сохраняется в интервале температур 250-320° С за исключением того, что расстояния между канавками возрастают при увеличении температуры



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [ 33 ] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

0.0011