Главная  Пленочные термоэлементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [ 72 ] [73] [74] [75] [76]

42. Кудинов В, А., Мойжес Б. Я. Влияние случайных неоднородностей на измерения термо-ЭДС и коэффициента Нерйста в сильном магнитном поле.- Физика твердого тела, 1965, 7, вып. 8, с. 2309-2317.

43. Казьмин С. А., Кайданов В. Я., Немое С. А., Целищее В, А. Исследование структуры и электрофизических свойств пленок электронного селенида свинца.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 95-100.

44. Дашевский 3. М., Немое С. А., Сгибнее И. В. Исследование зонной структуры BigTcg методом измерения зависимостей кинетических коэффициентов от магнитного поля.- Физика и техника полупроводников, 1981, 15, вып. 6, с. 1178-1181.

45. Зыков В. А. Казьмин С, А., Кайданов В. И. Об определении подвижности носителей тока в полупроводниковых пленках с макродефектами.- ПТЭ, 1982, № 5, с. 190-192.

46. Гудкин Т. С, Дашевский 3. М., Сгибнее И. В. Ячейка для измерения электрофизических параметров пленочных полупроводниковых материалов в широком интервале температур.- Завод лаб., 1976, 42, .Ne 7, с. 820-821.

47. Брэдли К. Применение техники высоких давлений при исследованиях твердого тела. М.: Мир, 1972. 232 с.

48. Ицкевич Е. С, Вороноеский А. Я., Гаерилое А. Ф., Сухопарое В. А. Камера высокого давления до 18 кбар для работы при гелиевых температурах.- ПТЭ, 1966, № 6, с. 161-164.

Брандт Я. Б., Минина Я. Я., Кульбачинский В. А. Метод создания сильных регулируемых анизотропных деформаций в кристаллах.- В кн.: Физические исследования при высоких давлениях/Под ред. А. И. Лайсаара. Таллин: Изд-во АН ЭССР, 1977, ч. 1, с. 122-127.

50. Волоцкой М. Я., Кайданов В. И. Ячейка для исследования деформационных эффектов на тонкопленочных образцах.- ПТЭ, 1974, № 5, с. 210-212.

51. Волоцкой М. Я., Кайданов В. Я. Измерительная ячейка для исследования электрофизических параметров материалов в условиях сильного сжатия.- Завод лаб., 1974, 40, № 7, с. 807-809.

52. Hilsch Л., Steglich F, Warmeleitung abschrecnend Kondensierter Blei-schichten.- Ztschr. Phys., 1969, 226, H. 2, S. 182-210.

53. Nath P., Chopra L,, Experimental determination of the thermal conductivity of thin films.- Thin Solid Films, 1973, 18, N 1, p. 29-37.

54. Абросимов В, Л/., Егоров Б, Я., Карандашее В. А,, Крыкин М. А. Температурные зависимости кинетических коэффициентов пленок висмута.- Радиотехника и электроника, 1973, 18, № 7, с. 1449-1458.

55. Chopra К, Z,., Nath Р. Thermal conductivity of ultra thin metal films in multilager structures.- J. Appl. Phys., 1974, 45, N 4, p. 1923-1925.

56. Вигдороеич В. Я., Гаранин В, Я., Ухлиное Г. А. К методике измерения теплопроводности тонких пленок.- Завод, лаб., 1979, 45, .N2 5, с. 435- 437.

57. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964. 487 с. -

58. Гольцман Б. М.у Комиссарчик М. Г. Методика измерения тепло- и электропроводности образцов малого поперечного сечения в интервале температур 80-400 К.- Инж.-физ. жури., 1971, 20, № 3, с. 528-533.

59. Бойкое Ю. А., Гольцман Б. М., Синенко С. Ф. Методика определения теплопроводности тонких пленок.- ПТЭ, 1975, .Ns 2, с. 230-232.

60. Гудкин Т. С, Дашевский 3. Л/., Дедекгаев Т, Т, й др. Исследование свойств пленочного термоэлектрического материала.- Электронная техника. Материалы, 1973, вып. 3, с. 76-79.

61. Hanlein Ж, Gunther К, G. Aufgedampfte Wismuttelluridschichten.- Naturwissenschaften, 1959. 46, Н. 9, S. 319-320.

62. Parker Е. Я., Williams D. Electrical properties of uncontaminated PbTe films on mica substrates prepared by molecular beam deposition.- Solid-State Electron., 1977, 20, N 7, p. 567-577.



63. Williams D., Parker E. H. The measurement of electricl properties oi uncontaminated PbTe films, prepared by molecular beam deposition.- J. Phys. E, 1977, 10, N 11, p. 1176-1179.

64. A. c. 783374 (СССР). Устройство для получения пленок в вакууме Б. М. Гольцман, М. Г. Комиссарчик, В. А. Кутасов и др. Заявл. 05.08.77, № 2516 115/23-26(22); Опубл. в Б. И., 1980, № 44.

65. Semiletov S. А., Rakova Е. Zheludeva S. J. Structure and morphology of PbTe films epitaxially grown on LiNbOg.- Thin Solid Films, 1980, 66, N 1, p. 11-24.

66. Семилетов С. A. К методике получения монокристальных (эпитакси- альных) пленок полупроводников.- Кристаллография, 1964, 9, вып. 1

с. 84-91.

67. Фрейк Д. М., Солонинный Я. В., Масляк Н. Т., Шперун В. М. Струк тура и свойства пленок РЬТе, полученных в квазизамкнутом объеме.- В кн.: Физическая электроника: Респ. межвед. науч.-техн. сб. Львов, 1977 JVJo 5 с. 90 94.

68. Фрейк Д. М., Шперун В. М., Солонинный Я. В., Бродин И. И. Синтез и рост пленок РЬТе и PbSe.- Кристаллография, 197Й, 24, вып. 3,. с. 636-640,

69. Лалатник Л, С, Сорокин В. К, Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия, 1973. 295 с.

70. Бубнов Ю. 3., Лурье М. С, Старое Ф. Г. и др. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Сов. радио, 1975. 161 с.

71. Lopez-Otero А., Haas L. D. High mobility As-grown РЬТе films, prepared by the hot-wall technique.- Thin Solid Films, 1974, 23, N 1, p. 1-6.

72. Mofejko K., Subotowicz M. Structure and growth mechanisms in thin epitaxial PbTe films.- Thin Solid Films, 1981, 78, N 4, p. 319-326.

73. LopezrOtero A. The use of a phase diagram as a guide to the growth of PbTe films.- Appl. Phys. Lett., 1975, 26, N 8, p. 470-472.

74. Lopez-Otero A. Growth of PbTe films in neareguilibrium conditions.- J. Appl. Phys., 1977, 48, N 1, p. 446-448.

75. Дашевский 3. M., Киллер Я. A., Черноусое Л. Н. и др. Установка для напыления методом дискретного испарения.- Электронная техника. Технология, организация производства и оборудование, 1978, вып. 1,. с. 11-13.

76. Abowitz Levy М., Lancaster Е. et al. The electrical properties of Bi: Sb : Se : Те films.- Electrochem. Technol., 1966, 4, N 7/8, p. 426- 430. ?

77. Кондратов A. В., Тимофеев Ю. В. Свойства пленок РЬТе, полученных методом взрывного испарения в замкнутом объеме.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1977, 13, № 1, с. 38-41,

78. Дашевский 3. М., Елисеев В. Б., Киллер Я. А. и др. Исследование электрофизических свойств пленок системы BiobSbisTeg, полученных методом лазерного напыления.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Изд-во АН СССР, 1976, с. 44-48.

79. Быковский Ю. А., Дудоладое А. Г., Козленкое В. Н. и др. Получение эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений с помощььо илшульсного твердотельного ОКГ.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Изд-во АН СССР, 1976, с. 49-54.

80. Смирнов Н. Я., Черкашин Г. А. Получение пленок РЬТе в квазизамкнутом объеме.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1974, 10, .N2 2, с. 221-223.

81. Kinoshita Я., Fujiyasu Н. РЬТе-PbjSncTe substrates, prepared by a hot-wall technique.- J. Appl. Physl980, 51, N 11, p. 5845-5846.

82. Ракоеа E. В., Семилетов С. A. Некоторые особенности отжига эпитаксиальных пленок теллурида свинца на слюде в парах теллура.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1974, 10, № И, с. 2371 - 2376..

83. Kumar А. Samantaray В. К., Das В, К., Chandhuri А. К. Х-гау study of defects in РЬТе films.- Ind. J. Phys. A, 1981, 55, N 1, p. 84-88.



84. Бондарь Н. М., Хубаева Л. В. Исследование системы SbgTeg-SbgSeg в тонких €лоях.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1978, 14, № 8, с. 1426-1429.

85. Holloway Я., Zogothetis Е. М., Wilkes Е. Epitaxial growth of lead tin telluride.- J. Appl. Phys., 1970, 41, N 8, p. 3543-3545.

86. Goswami A., Koli S. S. Semiconducting properties of BigTeg and BigSeg

films.- Ind. J. Pure and Appl. Phys., 1969, 7, N 1, p. 166-169. 87. Lile D., Anderson J. C. Electrical surface properties of polycrystalline

layers of PbTe and InSb.- J. Phys. D, 1969, 2, N 6, p. 839-853. 8. Ракова E. В., Зломанов В. П., Семилетов С. А. Отжиг эпитаксиальных

слоев РЬТе на фторфлогопите в парах Те.- Изв. АН СССР. Неорган.

материалы, 1976, 12, № 10, с. 1775-177. •89. Manasevit Н. М. Heteroepitaxial growth of semiconductor films on insulating substrates.- J. Cryst. Growth, 1974, 22, N 2, p. 125-148. "90. Таблицы физических величин: Справочник/Под ред. И. К. Кикоина.

М.: Атомиздат, 1976. 553 с. "91. Технология тонких пленок: Справочник/Под ред. Л. Мейссела, Р. Глэн-

га. М.: Сов. радио, 1977. 92. Равич И. Я., Кондратенко В. И. Работоспособность tohkoii изоляции

в низкотемпературных термоэлектрических устройствах.- Электро-

техн. промышленность. Сер. физ. и хим. источники тока, 1973, № 9, с. 9. 93. Хансен М., Андерко К. Структуры двохшых сплавов: Справочник. М.:

Металлургиздат, 1962. •94. Frankombe М. Stmcture-coll data and expansion coefficients of bismuth

telluride.- Brit. J. Appl. Phys., 1958, 9, N 10, p. 415-417. 5. Smith M., Knight Spencer C. Properties of BigTeg-SbgTeg alloys.-

J. Appl. Phys,, 1962, 33, N 7, p. 2186-2190, 6. Miller G., Che-You Li, Spencer C. Properties of BigTcg-BigScg alloys.-

J. Appl. Phys., 1963, 34, N 5, p. 1398-1400.

97. Francombe M. Grystal growth and orientation in sputtered films of bismuth telluride.- Philos. Mag., 1964, 10, N 108, p. 989-1010.

98. Равич Ю. Я., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. 383 с.

99. Drabble /., Goodman С. Chemical bounding in bismuth telluride.- J. Phys. and Chem. Solids, 1958, 5, N 1/2, p. 142-144.

100. Haneman D. Adsorption and bounding properties of cleavage surfaces of bismuth telluride.- Phys. Rev. 1960, 119, N 2, p. 567-569.

101. Абрикосов Я. X\, Шелимова Л. E. Полупроводниковые материалы на основе соединений АВ. М.: Наука, 1975. 195 с.

102. Гасъков А. М., Зломанов В. Я., Новоселова А. В. Р-Г-а;-диаграмма свинца.-Вестн. МГУ. Сер. 2, Химия, 1970, И, № 1, с. 49-50.

103. Гасъков А. М., Матвеев О. В., Зломанов В. Я., Новоселова А. В. Исследование теллурида свинца.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1969, 5, № И, с. 1889-1893.

104. Fujimoto М,, Sato J. P~T-Xaise diagram of the lead telluride system. - Jap. J. Appl. Phys., 1966, 5, N 2, p. 128-133.

105. Satterwaite C, Ure R. Electrical and thermal properties of BigTeg.- Phys. Rev., 1957, 108, N 1, p. 1164-1170.

106. Offergelfii G., van Cakenberghe. J. Stoicheometry of bismuth telluride and related compounds.- Nature, 1959, 184, N 4681, p. 185.

107 Offergeld G., van Cakenberghe J. Determination de la composition a fusion congruente de semiconducteurs binares par analyse thermique differen-tielle: Application a BigTeg, SbgTeg et BigScg.- J. Phys. and Chem. Solids, 1959, 11, N 314, p. 310-314.

108. Абрикосов Я. X., Глазов В. М., Порецкая Л. В, Исследование системы Sb-Те в области соединения SbgTeg в твердом и жидком состояниях.- ЖНХ, 1963, 8, вып. 5, с. 1196-1198.

109. Абрикосов Я. X., Банкина В. Ф., Харитонович К. Ф. Исследование диаграммы состояния системы Bi-Se.- ЖНХ, 1960, 5, вып. 9, с. 2011- 2016.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [ 72 ] [73] [74] [75] [76]

0.0009