Главная  Пленочные термоэлементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [ 73 ] [74] [75] [76]

Гольцман.Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе BigTeg. М.: Наука, 1972. 320 с.

111. Sato Fujimoto М., Kobajaski А. Effects of heat treatment on lead telluride under tellurium pressure: Carrier concentration dependence of mobility and etch pits on worked surface.- Jap. J. Appl. Phys., 1963, 2, N 11, p. 688-694.

112. George T. D., Wagner /. B. Tracer diffusion of lead in lead telluride.- J. Appl. Phys., 1971, 42, N 1, p. 220-221.

113: Gomez M, P., Stevenson D., HugginsR. Self-diffusion ofPb and Те in lead telluride. J. Phys. and Chem. Solids, 1971, 32, N 2, p. 335344.

114. Miller G., Che-You Li. Evidence for existence of antistructure defects in bismuth telluride by density measurements.- J. Phys. and Chem. Solids, 1965, 26, N 1, p. 173-177.

115. Porter R. Stabilities of gaseous molecules in the Pb-Se and Pb-Те systems.- J. Chem. Phys., 1961, 34, N 2.

116. Любимов A. Беспальцева И. И. Определение давления и состава пара теллурида свинца масс-спектрометрическим методом.- ЖФХ, 1967, 41, вып. 6, с. 1500-15-02.

т.Brebrick R. F., Strauss А. J. Partial pressures in equilibrium with group IV tellurides. I. Optical absorption method and results for PbTe.- J.Chem. Phys., 1964, 40, N 11, p. 3230-3241.

118. Соколов В. J5., Пашинкин A. С, Новоселова A. В. vl др. Давление насыщенного пара твердых теллуридов олова и свинца и селенида свинца.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1969, 5, № 1, с. 15-19. -

119. Никалев А. Я., Мерзляков А. В., Ожегов Н. И. и др. Исследование процесса легирования пленок из парогазовой фазы.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Изд-во АН СССР, 1976, с. 119-125.

120. SulMvan С. Prusaczyk /., Carlson К. Molecules in the equilibrium vaporisation of antimony sulfide and selenide.- J. Chem. Phys., 1970, 53, N 3, p. 1289-1290.

121. Новоселова A. В., Пашинкин A. С. Давление паров летучих халькогенидов металлов. М.: Hayia, 1978. 109 с.

122. Porter /?. Spencer С. W. Stabilities of gaseous molecules BiSe, BiTe and SbTe.- J. Chem. Phys., 1960, 32, N 3, p. 943-944.

123. Бончева-Младенова 3., Пашинкин A. С, Новоселова A. В. О поведении теллуридов сурьмы и висмута и селенида висмута при возгонке в вакууме.- Вестн. МГУ. Сер. 2, Химия, 1969, 10, № 6, с. 57-59.?

124. Мелех Б. Т., Семенкович С. А. Исследование характера испарения жидких теллуридов и селенидов элементов IV и V групп по временной развертке эмиссионного спектра.- ЖФХ, 1973, 45, № 8, с. 1973- 1975.

125. Sullivan С. />., Zehe М. JCarlson К. D. Heats of reaction for gaseous species in the vaporisation of solid antimony telluride (SbgTeg).- High Temp. Sci., 1974, 6, N 1, p. 80-97.

126. Ban V. 5., Knoi: B. E. Mass-spectrometric study of the laser-indused vaporisation of compounds of bismuth with the elements of group VI.- J. Chem. Phys., 1970, 52, N 1, p. 243-247.

127. Ban V. 5., Knox B. E. Mass-spectrometric study of the laser-indused vaporisation of compounds of arsenic and antimony with the elements of group VI.- J. Chem. Phys., 1970, 52, N 1, p. 248-253.

128. Ban V. 5., Knox В и E. Vaporisation of antimony and tellurium in the vicimity of the critical point.- J. Chem. Phys., 1969, 51, N 2, p. 524- 526.

129. Палатник Л. С, Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных плжж. М.: Наука, 1972. 320 с.

130. Палатник Л. С, Сорокин В. К. Материаловедение в микроэлектронике. М.: Энергия, 1978. 279 с.



131. Лалатник Л. С, Косевич В, Л/., Зозуля Л, П., Сорокин В, К. Субструктурные ступенчатые переходы на начальных стадиях эпитаксиального роста РЬТе на NaCL- ДАН СССР, 1968, 182, № 1, с. 80-84.

132. Косевич В. М., Палатник Л. С., Сорокин В. К. О механизме эпитаксиального роста РЬТе на КС1.- Физика твердого тела, 1968, 10, вып. 8, с. 2465-2471.

133. Holloway Н. Logothetis Е. М. High-mobility epitaxial layers of РЬТе and РЬ д.8пзсТе, prepared by post-grown annealing.- J. Appl. Phys., 1971, 42, N 11, p. 4522-4525.

134. Гейман К. И., Драбкин И. А., Матвеенко Л. J5. и др. Аномальные-электрические свойства слоев РЦ 8пТе с примесью индия. Физика и техника полупроводников, 1977, 11, выгГ. 5, с. 846-854.

135. Egerton К. F. The structure and growth of the PbTe films on mica substrates.- Philos. Mag., 1969, 20, N 165, p. 547-559.

136. Пикалев A. 77., Полистанский Ю. Г., Кандиба Г. И. Влияние условий конденсации на структуру и термоэлектрические свойства пленок РЬТе.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 126-129.

137. Гудков Л. Л., Дашевский 3. М., Коломоец Н. В. и др. Исследование совершенных монокристаллических пленок РЬТе стехиометрического состава.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1980, 16, № 9, с. 1676- 1678.

138. Ракова Е. В., Семилетов С. А. Об ориентации эпитаксиальных слоев РЬТе на различных гранях ниобата лития.- Кристаллография, 1977, 22, вып. 6, с. 1277-1279.

139. SpinulescuCarnaru У., Draghici У., Petrescu М. The crystalline structure-of lead telluride (PbTe) thin films.- Thin Solid Films, 1969, 3, № 2, p. 119-125.

140. Boichot S. J, The structure and growth of thin films of lead telluride and lead selenide, condensed in vacuum on the amorphous substrates.- J. Phys. D, 1978, 11, N 18, p. 2553-2558.

141. Бойков Ю. A., Гольцман Б. М., Гудкин Т. С. и др. Об аномальном росте коэффициента термо-ЭДС в пленках п - РЬТе.- Физика твердого-тела, 1980, 22, вып. 4, с. 1226-1228.

142. Бойков Ю. Л., Гольцман Б. М., Шмуратов Е. А. Электронная теплопроводность в пленках РЬТе.- Физика твердого тела, 1979, 21, вып. 12, с. 3734-3736.

143. Бойков Ю. Л., Гольцман Б. Л7., Кутасов В. А. Теплопроводность пленок РЬТе.- Физика твердого тела, 1978, 20, вып. 5, с. 1548-1550.

144. Быковский Ю, Л., Дудоладов А. Г., Козленков В. 77. и др. Образование эпитаксиальных пленок при конденсации лазерной плазмы на непрогреваемых подложках.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 55-58.

145. Гапонов С. Б., Клюенков Е. Б., Нестербв Б. А. и др. Лазерное напыление пленок в активной среде.- Письма в ЖЭТФ, 1977, 3, № 13, с. 632-635. ?

146. Быковский Ю. Л., Лощинин М. Б., Маныкин Э. А, и др. Релаксационные процессы в быстроосажденных тонких пленках.- ЖТФ, 1981, 51, № 9, с. 1914-1919.!

147. Parker Е. Б., Williams D. The kinetics and electrical effects of oxygen sorption on uncontaminated PbTe thin films.- Thin Solid Films, 1976, 35, N 3, p. 373-395.

148. Фрейк Д. М., Солоничный Я. В., Масляк Н. Т. Исследование пленок РЬТе, полученных в квазиравновесных условиях.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1977, 13, № 12, с. 2165-2168.

149. Dawar Л. Б., Krishna К. Г., Taneja О. Р., Mathur P. С, Magnetoresi-- stance of In and Cu-doped n-type PbTe thin films.- Phys. status solidi (a), 1980, 61, N 1, p. 195-199.

150. Березкина H. Г., Дашевский 3. М., Евменьев Л. А. и др. Ионное леги-



роваяие пленочяых термоэлектрических материалов.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. За-43.

151. Egerton R. Juhasz С. Epitaxial films of PbTe, PbSe and PbS, grown on mica substrates.- Brit. J. Appl. Phys., 1967, 18, N 7, p. 1009-1011.

152. Albers C, Walkowiak Ch., Schafer P., Rechenberg J. Time-dependent negative weak-field magnetoresistance in w-type lead telluride epitaxial films.- Phys. status solidi (a), 1978, 47, N 1, p. к31-к34.

153. Herring С. Electrical properties of lead telluride.- J. Appl. Phys., 1961, 32, N 10, suppl., p. .2146-2150.

154. Айрапетянц С. В. Флуктуация плотности носителей в полупроводниках.- ЖТФ, 1958, 28, вып. 9, с. 1913-1916.

155. Corsi С. РЬзс8п Те layers by R. F. multicathode sputtering.- J. Appl. Phys., 1974, 45, N 8, p. 3467-3471.

156. Krikorian E. Thin films for electrooptical "devices.- J. Vac. Set. and . Technol., 1975, 12, N 1, p. 186-187.

157. Fazio M. F., Wilson W. L. Sputtered thin films of PbSnTe for potential infrared detector applications.- Infrared Phys., 1979, 19. N 6, p. 609-615.

158. Corsi C.J Fainelli Petrocco G. Single-crystal heteroepitaxial growth of PbSnjTe films on germanium substrates by R. F. sputtering.- Thin Solid Films, 1976, 33, N 2, p. 135-148.

159. Corsi C, Campisano S. U., Foti G. et al. Ion backscatiering and electron microscopy analysis of multilager metal-PbSnj Te epitaxial film structures obtained by radio frequency sputtering.- Thin Solid Films, 1976, 32, N 2, p. 315-319.

160. DMmico Cappuccio G., Petrocco G., Fainelli E. Time stability of PbTe polycrystalline films, obtained by R. F. sputtering.- Thin Solid.Filnis, 1977, 40, N 1/3, p. 13-14.

161. Balestrino G., DAmico A., Petrocco G., Grilli A. Mobility and photocon-ductive response speed-improuvement by annealing in thin film infrared detectors of РЬЗпТе, obtained by R. F. sputtering.- Infrared Phys. 1979, 19, N 2, p. 245-246.

162. Comas /., Cooper C. B. Sputtering fields of several semiconducting compounds under argon ion bombardment.- J. Appl. Phys., 1966, 37, N 7, p. 2820-2822.

463. Fmncombe M., Noreika A. Some properties of unaxial permalloy films, prepared by cathodic sputtering.- J. Appl. Phys., 1961, 32, N 3, suppl., p. 978-988.

164. Смородина Т. A., Сагайдачный И. A., Цуранов A. П. и др. Получение монокристаллических слоев теллурида свинца в узком зазоре.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 130-134.

165. Арнополъская И. Л/., Соколов И. А., Крапухин В. В. Исследование процесса получения пленок твердых растворов PhjcSnTe методом химических транспортных реакций.- В кн.: Термоэлектрические мате-

. риалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 135- 143.

166. Смородина Г. Л., Цуранов А. П. Особенности испарения и роста несте-хиометрического теллурида свинца.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1979, 15, JV« 8, с. 1362-1365.

167. Thompson А. G., Wagner J. W. Growth and characterization of lead-tin telluride epitaxial layers.- Phys. status solidi (a), 1971, 5, N 2, p. 439- 448.

168. Longo J. Т., Harris /. S., Gertner Е/ R., Chu J. C. Improved surface

fri?., С \ 8пхТе epitaxial layers: A new technique- J. Cryst. Growth., 1972, 15, N 2, p. 107-116. 169. Петухов A. П., Таллерчик Б. A,, Садовников В. А. и др. Жидкофазная эпитаксия в системе РЬ-Sn-Те.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1981, 17, № 1, с. 175-176.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [ 73 ] [74] [75] [76]

0.0009