Главная  Пленочные термоэлементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [ 74 ] [75] [76]

170. ШотовА. Я., Даварашвили О. Я. Эпитаксиальные слои PhjSncTe-и PbjlSnxSe.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1977, 13, № 4, с. 610-612.

171. Дашевский 3. М., Ерусалимская Т. М., Каллер Я. Л. и др. Получение и исследование низкотемпературных пленочных термоэлектрических материалов /г-типа проводимости.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 32-37.

172. Дашевский 3. М., Жемчужина Е. А., Каллер Я. А. и др. Получение и исследование свойств монокристаллических пленок системы BiaTcg-SbgTeg.- Электронная техника. Материалы, 1974, вып. 8, с. 74-78.

173. Арифов У. А., Эрзин Н. Я., Кулагин А. И.и др. Электрофизические параметры термоэлектрических пленок на основе Bi-Те-Se.- Гелиотехника, 1974, № 5, с. 62-63.

174. Дашевский 3. М., Ерусалимская Т. М., Каллер Я. А. и др. Получение и некоторые свойства пленок твердых растворов системы Bi2Teg Se3c.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1977, 13, № 6, с. 963-965.

175. Бойков Ю. А., Гольцман Б. М., Синенко С. Ф. Влияние размерных эффектов на теплопроводность пленок BiojsSbi бТвд.- Физика твердого тела, 1975, 17, вып. 10, с. 3086-3087.

176. Гельфгат Д. М., Дашевский 3. М., Коломоец Я. В. и др. Исследование-окисления пленок твердых растворов (Bi, Sb)2Teg.- Изв. АН СССР. Неорган.-материалы, 1979, 15, № 1, с. 37-41. t

177. Кремнев В. А., Леонтьев Я. А., Платов А, Я. Характер распределения и ориентация различных сред в структуре пленок на основе твердых растворов теллуридов Bi и Sb.- Кристаллография, 1971, 16, вып. 2, с. 411-414.

178. Быковсццй Ю. А., Дудоладов А. Г., Козленков В. П. и др. Ориентированная кристаллизация тонких пленок, полученных с помощью лазера.- Письма в ЖЭТФ, 1974, 20, вып. 5, с. 304-307.!

179. А. с. 351476 (СССР). Способ изготовления термоэлектрического материа-ла/Н. В. Коломоец, 3. М. Дашевский, Л. Н. Черноусов и др. Заявл. 11.01.71, № 1606261/26-25; Опубл. в Б. И., 1972, № 28. f

180. Арифов У. А., Эрзин Я. Я., Кулагин А. И. и др. Влияние температуры и времени отжига на кинетические коэффициенты пленок твердого раствора Bi2Te24Seo6-- Гелиотехника, 1975, № 1, с. 3-4.

181. Weiss G. Р. Smith D. О. Isotropic stressments in permalloy films.- J. Appl. Phys., 1962, 33, N 3, p. 1166-1167.

182. Prutton M. Stress and magnetic anisotropy in thin permalloy films.- Nature, 1962, 193, N 4815, p. 565-566.

183. Гольцман Б. М., Комиссарчик М. Г., Леонтьев Я. А. Исследование-механических напряжений в пленках твердого раствора BioSbigTeg.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы вЬесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 59-64.

184. Гольцман Б. 71/., Комиссарчик М. Г. Механические напряжения в пленках (Bi, Sb)2Teg.- Физика твердого тела, 1973, 15, № 1, е. 301-303.

185. Stoney G. G. The tension of metallic films deposited by electrolysis.- Proc. Roy. So€. London A, 1909, 82, № 553, p. 172-175.

186. Давидёнков Я. Я. Об изерении остаточных напряжений в электролитических покрытиях.- Физика твердого тела, I960, 2, вып. 11, с. 2919-2922.

187. Мускхелишвили Я. Я. Некоторые основные задачи математической теории упругости. М.: Наука, 1966. 707 с.

188. У майский Я. С. Рентгенография металлов и полупроводников. М.: Металлургия, 1969. 496 с.

189. Egerton P. Г., Juhasz С. The effect of oxyden on epitaxial PbTe, PbSe and PbS films.- Thin Solid Films, 1969, 4, N 4, p. 239-253.

190. Kumar A. V., Datta 5., Chandhuri A. K. On the mechanism of conduction and photoconduction in PbTe films.- CzcehosL J., Phys.,. 1982 B-32, N 10, p. 1153-1167.



191. Zemel I. N. Transport phenomena in hetero-epitaxial semiconductor films.- In: The use of thin films in physical investigations. L.; N. Y.: Acad, press, 1966, p. 319-345.

192. Горбачев В. В., Дашевский 3. Л/., Ерусалимская Т. М. и др. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических пленках р-РЬТе.- Физика и техника полупроводников, 1984, 18, вып. 6, с. 1118-1120.

193. Горелик С. С, Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: Металлургия, 1973. 496 с.

194. Гелъфгат Д. М., Дашевский 3. М. Влияние отжига на воздухе на электрофизические свойства пленок твердых растворов п-типа в системе BigTcg-ShaTCg.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1983, 19, № 8, с. 1307-1308. 1

195. Dimock J. О., Wright G. В. Band edge structure of PbS, PbSe and PbTe.- Phys. Rev., 1964, 135, N ЗА, p. 821-830.

196. Dimock J. O., Melngailis /., Strauss A. J. Band structure and lazer action in РЬзс8п.Те.- Phys. Rev. Lett., 1966, 16, N 26, p. 1193-1196.

197. Кайданов В. Я., Черник И. А., Ефимова Б. А. Исследование зонной структуры и механизма рассеяния носителей тока в теллуриде олова.- Физика и техника полупроводников, 1967, 1, вып. 6, с. 869-879.

198. Кайданов В. Я., Черник И. А. О подвижности «легких» и «тяжелых» дырок в межзонном рассеянии в теллуриде свинца.- Тр. Ленингр. политехи, ин-та, 1971, № 325, с. 43-56.

199. Вейс А. Я., Кайданов В. Я., Немое С. А. Влияние состава твердых растворов PbSej 3S3c на положение и ширину примесной полосы таллия.- Физика и техника полупроводников, 1980, 14, вып. 6, с. 1054-1058.

200. Кайданов В. Я., Немое С. А. Влияние примеси таллия на рассеяние дырок в теллуриде свинца.- Физика и техника полупроводников, 1981, 15, вып. 3, с. 542-550.

201. Кайданов В. Я., Мельник Р. Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца с примесью индия.- Физика и техника полупроводников, 1973, 7, вып. 4, с. 759-762.

202. Аверкин А. А., Кайданов В. Я., Мельник Р. Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца.- Физика и техника полупроводников, 1971, 5, вып. 1, с. 91-95.

203. Ерасова Я. А., Ефимова Б. А., Захарюгина Г. Ф. и др. Примесные состояния In в некоторых твердых растворах на основе РЬТе.- Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1978, 14, № 5, с. 870-874.

204. Вейс А. Н., Ерасова Н. А., Захарюгина Г. Ф. и др. Примесные состояния индия в твердом растворе РЬ ОеэсТе.- Физика и техника полупроводников, 1974, 8, вып. 9, с. 1798-1800.

:205. Бочарова Т. В., Вейс А. Я., Ерасова Я. Л. и др. Особенности электрофизических и оптических свойств твердых растворов РЬ ОезсТе с примесью индия.- Физика и техника полупроводников, 1982, 16, вып. 8, с. 1462-1465.

:206. Кайданов В. И., Мельник Р. Б., Германас Я. В. Примесные состояния индия в селениде свинца.- Физика и те!хника полупроводников, 1972, 6, вып. 4, с. 726-728.

.207. Вейс А. Я., Кайданов В. Я., Костылева Н. А. и др. Примесные состояния галлия в теллуриде свинца.- Физика и техника полупроводников, 1973, 7, вып. 5, с. 928-930.

"208. Вейс А. Н., Глебова Е. В. Исследование примесных состояний в теллуриде свинца, легированном алюминием.- Изв. вузов. Физика, 1983, № 6, с. 117-119.

:209. Кайданов В. Я., Мельник Р. Б., Шапиро Л. А. Влияние примеси висмута на энергетический спектр и рассеяние электронов в теллуриде свинца.- Физика и техника полупроводников, 1972, 6, вып. И, с. 2140-2143. /

210. Чащин С. Я., Барышев Н. С, Гужова И. Я. и др. Об аномальном изменении концентрации электронов в Pb.SncTe при низких температу-



pax.- Физика и техника полупроводников, 1978, 12, вып. 12, с. 2404- 2405.

211. Чащин С. П. Барышев Н. С, Гужова И. П., Харионовский Ю. С. Примесная фотоправо димость теллурида свинца-олова с кадмием.- Физика и техника полупроводников, 1979, 13, вып. 4, с. 822-823.

212. Сизов Ф. Ф., Тетеркин В. В., Прокофьева Л. В., Гуриева Е. А. Влияние примеси переходных элементов (Ti) на зонный спектр.- Физика и техника полупроводников, 1980, 14, вып. 9, с. 1788-1791.

213. Лашкарев Г. В., Радченко М. В., Сизов Ф. Ф. и др. Энергетическое состояние примеси марганца и ее влияние на кинетические, оптические в магнитные свойства узкощелевых твердых растворов PbjjSnjcTe.- Укр. физ. жури., 1981, 26, . 7, с, 1173-1176.

214. Прокофьева Л. В., Виноградова М. Я., Зарубо С. В. Легирующий эффект олова в твердых растворах РЦ 8пзс8е и РЬ:.8пу8.- Физика и техника полупроводников, 1980, 14, вып. И, с. 2201-2204.

215. Вейс А. n.j Кайданов В. П., Крупицкая Р. Ю, и др. Особенности эффекта Холла и спектров коэффициента поглощения в сильно компенсированных образцах халькогенидов свинца.- Физика и техника полупроводников, 1980, 14, вып. 12, с. 2349-2356.

216. Алексеева Г. Г., Ефимова Б. А., Островская Л. М. и др. Теплопроводность твердых растворов на основе теллурида свинца.- Физика и техника полупроводников, 1970, 4, вып. 7, с. 1322-1327.

217. Mallinson R. В., Rayne J. А., Ure R. W. Concentration dependence of de Haas van Alphen effect in w-type BigTeg.- Phys. Lett. A, 1967, 24, N 13, p. 713-714.

218. Testardi L. Д., Stiles P. /., Burstein E. De Haas van Alphen and high field galvanomagnetic studies of the BigTcg valence land structure.- 8olid 8tate Communs, 1963, 1, N 2, p. 28-34.

219. Парфеньев P. В., Сологуб В. В., Гольцман Б. М. Квантовые осцилляции кинетических и фотоэлектрических коэффициентов п-- BigTeg.-Физик» твердого тела, 4968, 10, вып. 10, с. 3087-3096.

220. Сологуб В. В., Голецкая А. Д., Ланг И. Г., Павлов С, Т. Гальваномагнитные эффекты в BigTeg и модель двух дырочных подзон.- Физика твердого тела, 1973, 15, вып. 3, с. 850-855.

221. Сологуб В. В., Парфеньев Р, В., Голецкая А, Д. Структура валентной зоны теллурида висмута.- Письма в ЖЭТФ, 1975, 21, № 12, с. 711- 713.?

222. Austin J. G. The optical properties of bismuth telluride.- Proc. Phys.. 8oc., 1958, 72, N 4, p. 545-552.

223. Лидоренко H. Гудков Л. A., Дашевский 3. Л/, и др. Размерные эффекты в монокристаллических пленках РЬТе.- ДАН СССР, 1980, 250, № 1, с. 82-85.

224. Герштейн Э. 3., Ставицкая Т. С, Стильбанс Л. С. Исследование термоэлектрических свойств теллуристого свинца.- ЖТФ, 1957, 27, вып. И, с. 2472-2483.

225. Дашевский 3. М., Котельников В. А. Особенности магнитосопротивления пленок л-РЬТе.- Физика и техника полупроводников, 1981, 15, вып. 8, с. 1658-1659.

226. Zemel J. N.j, Jensen J, D., Schoolar R. B. Electrical and optical properties of epitaxial films of Pb8, Pb8e, PbTe and 8nTe.- Phys. Rev., 1965,. 140, N lA, p. A330-A342.

227. Гудкин Т. С, Драбкин И. А., Кайданов В. И, и др. Особенности рассеяния электронов в тонких пленках РЬТе.- Физика и техника полупроводников, 1974, 8, вып. И, с. 2233-2235.

228. Драбкин И. А., Марговский Л, Я., Пельсон В. И. и др. Собственное поглощение света в области непараболичности в РЬТе и твердых растворах РЬТе-8пТе.- Физика й техника полупроводников, 1972, 6, вып. 7, с. 1323-1326.

229. Бытенский Л, Я., Гудкин Т. С, Иорданишвили Е.К. и др. Влияние потенциальных барьеров на термоэлектрические свойства пленок халь-



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [ 74 ] [75] [76]

0.0009