Главная  Пленочные термоэлементы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [ 75 ] [76]

когенидов свинца.- Физика иехника полупроводников, 1977, И,

вып. 8, с. 1522-1526. 230. Бытенский Л. И., Гудкин Т. Су Казьмин С. Л. и др. Анизотропия

магнитосопротивления в пленках РЬТе с потенциальными барьерами.-

Физика и техника полупроводников, 1979, 13, вып. 2, с. 300-304. 31. Григорьев А. В., Казьмин С. А., Кайданов В. И. Влияние ИК-подсветки

на кинетические коэффициенты в пленках РЬТе с потенциальными

барьерами.- Физика и техника полупроводников, 1983, 17, вып. 5,

с. 934-936.

232. Корсунский М. И. Аномальная фотопроводимость и спектральная память в полупроводниковых системах. М.: Наука, 1978. 319 с.

233. Боде Д. Е. Детекторы на основе солей свинца.- В кн.: Физика тонких пленок/Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. М.: Мир, 1968, т. 3.

234. Шейнкман М. Я., Шик А. Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.- Физика и техника полупроводников, 1976, 10, вып. 2, с. 209-233.

235. Бытенский Л. Я., Казьмин С. Л., Кайданов В. И. и др. Влияние сорта легирующей примеси на электрофизические свойства пленок селенида свинца.- Физика и техника полупроводников, 1982, 16, вып. 6, с. 1113-1115.

236. Свойства элементов: Справочник / Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Атомиздат, 1972. Ч. 1.

237. Хирт Д., Лоте Я. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. 599 с.

238. Житинская М, К., Кайданов В. И., Лыков С. Я. Об особенности электропроводности поликристаллов п РЬТе при низких температурах.- Физика и техника полупроводников, 1979, 13, вып. 1, с. 183-184.

239. Дашевский 3. М., Ефимова Б. А., Кайданов В. И. и др. Влияние индия на электрофизические свойства пленок РЬТе-SnTe и РЬТе-GeTe.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки. Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 113-118.

240. Бочарова Т, В,, Вейс А, Я., Дашевский 3, М. и др. Исследование коэффициента поглощения в. тонких слоях, легированных индием.- Физика и техника полупроводников, 1981, 15, вып. 1, с. 175-178. ]

241. Вейс А. Я., Кайданов В. Я., Равич Ю, Я. и др. Исследование коэффициента поглощения РЬТе с примесью индия.- Физика и техника полупроводников, 1976, 10, вып. 1, с. 104-110.

242. Голубев В. Г., Гречко Я. Я., Лыков С. Я. и др. Электрические свойства твердых растворов РЬ 1пзсТе при температуре жидкого гелия.- Физика и техника полупроводников, 1977, И, вып. 9, с. 1704-1708.

243. Palik Е, Z>., Mitchell D. Zemel J, N, Magneto-optical studies of the band structure of PbS.- Phys. Rev., 1964, 135, N ЗА, p. A763-A778.

244. Шамшур Д. В., Парфеньев P. В., Машовец Д. В.иц. Зонная структура гетероэпитаксиальных слоев РЬТе п-типа и р-типа.- Физика и техника полупроводников, 1982, 16, вып. 7,,с. 1249-1255.

245. Thompson Т. Е., Агоп Р. Я., Chandrachar В. Langenberg D. Я. Oscillatory magnetostriction and magnetoelastic oscillations in p-type PbTe.- In: Proc. Intern. Conf. phys. semimetals and narrow-gap semiconductors. Dallas, 1970, p. 331-332.

246. Волоцкой M. Кайданов В, И. Эффект Холла и электропроводность селенида свинца при сильном анизотропном сжатии.- Физика и техника .полупроводников, 1976, 10, вып. 10, с. 1885-1889.

247. Волоцкой М. Я., Кайданов В. Я. Влияние сильной одноосной деформации на зонную структуру селенида и теллурида свинца.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 101-107.

248. Rabii S, Invectigation of energy-band structures and electronic properties of PbS and PbSe.- Phys. Rev., 1968, 167, N 3, p. 801-808.

249 Волоцкой M. Я., Кайданов В. И. Влияние сильного сжатия на положе-лие уровня индия в теллуриде свинца.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 108-112.



250. Дашевский 3. М., Котелъникова В. А. Влияние одноосной деформации на положение уровня индия в пленках РЬ у8пзс1пх/Те.- Физика и техника полупроводников, 1982, 16, вып. 3, с. 533-535.

251. Г алев В. Н., Дашевский 3. М., Коломоец Н, В., Сгибнее И. В: Исследование зонной структуры и механизма рассеяния в монокристаллических пленках п - BigTeg.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 27-31.

252. Волоцкой М. Я., Гудкин Т. С, Дашевский 3. М. и др. Исследование сложной структуры краев зон и механизма рассеяния носителей в монокристаллах системы Bi-Sb-Те.- Физика и техника полупроводников, 1974, 8, вып. 5, с. 1044-1047.

253. Лидоренко Я. С, Дашевский 3. М., Ерусалимская Т. М. и др. Особенности зонной структуры и механизма рассеяния пленочных полупроводниковых материалов на основе BigTeg.- ДАН СССР, 1979, 245 № 5, с. 1095-1098.

254. Волоцкой М. Я., Житинская М. /Г., Кайданов В. Я. Исследование теллурида висмута в условиях сильной одноосной деформации.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 19-26.

255. Лидоренко Я. С, Галев В. Я., Дашевский 3. М., Коломоец Я. В. Исследование зонной структуры монокристаллических пленок системы BigTog-SbgTeg под давлением.- В кн.: Тез. V Международной конференции по физике и технике высоких давлений. М.: Наука, 1975, с. 107.

256. Смирнов Л. А., Андреев А. А., Кутасов В. А. Влияние сложной валентной зоны на тепловые и электрофизические свойства SbgTeg.- ФТТ 1968, 8, вып. 6, с. 1782-1787.

257. Аверкин А. А., Грязное О. С, Сапфиров Ю. 3. Влияние давления на электропроводность и термо-ЭДС р - BigTeg в температурном интервале 77-300 К.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 8-12.

258. Аверкин А. А., Грязное О. С, Сапфиров Ю. 3. Влияние давления на гальвано- и термомагнитные свойства теллурида висмута.- В кн.: Тез. V Международной конференции по физике и технике высоких давлений. М.: Наука, 1975, с. 100.

259. Лидоренко Я. С, Галев В. Н., Дашевский 3. М., Коломоец Я. В. Исследование ширины запрещенной зоны в монокристаллических пленках Bi-Те-Sb.- ДАН СССР, 1975, 224, № 5, с. 1059-1063.

260. Аверкин А. A.J Гольцман Б. М., Жапаров Ж. Ж. и др. Влияние вида деформации на электрические свойства твердых растворов (BiSb)2Teg.- Физика твердого тела, 1973, 1б,~ вып. 12, с. 2543-2545.

261. Волоцкой М. Я., Галев В. Н., Дашевский 3. М., Коломоец Я. В. Изменение зонной структуры монокристаллов Bio.sSbisTog под действием

одноосного сжатия. - деп. № 3404/75, в сб.: Рипорт, 1975,.№ 12.

262. Бойков Ю. A.J Гольцман Б. М., Кутасов В. А. Влияние структуры на теплопроводность пленок BigTeg и Bio 5Sbi,5Te3.- Физика твердого тела, 1978, 20, вып. 5, с. 1316-1319.

263. Бойков Ю. А., Гольцман Б. М., Кутасов В. А. Теплопроводность пленок Bi2(TeSe)g.-Физика твердого тела, 1978, 20, вып. 10, с. 3002-3005.

264. Goldsmid Я. /., Репп А. W. Boun dary scattering of phonons in solid solutions.- Phys. Lett. A, 1968, 27, N 8, p. 523-524. .

265. Волоцкой M. II. Исследование явлений переноса в соединениях АВ и АВ в условиях сильной деформации: Автореф. дис... канд.. физ.-мат.. наук. Л., 1976. 17 с.

266. Васильев Б. В. Пленочные радиационные термоэлементы с подложкой из оксидной пленки на алюминии.- Изв. Л ЭТИ, 1974, вып. 142, ч. 7, с. 8-11.

267. Якашвили Д. В., Колесников В. Я., Вигдороеич В. Я., Углинов Г. А. Пленочные висмут-сурьмяные термобатареи для радиационной пирометрии.- Приборы и техника эксперимента, 1976, № 6, с. 207-208.



268. Гелъфгат Д. М., Дашевский 3. М., Киллер Я. А. и др. Разработка пленочных термоэлектрических батарей и их характеристики.- В кн.г Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 234-239.

269. А. с. 455702 (СССР). Пленочный элемент (термобатарея) / 3. М. Дашевский, Я. А. Каллер, Н. В. Коломоец, И. В. Сгибнев. Заявл. 06.12.73,. № 1975107/26-25; Опубл. в Б. И., 1976, № 29. Пат. в США № 3981751, Англии № 1455340, Франции № 2254111.

270. Охотин А. С, Ефремов А. А., Охотин В. С, Пушкарский А. С. Термоэлектрические генераторы. М.: Атомиздат, 1976. 320 с.

271. Чудновский А. Ф., Шиндеров Б. Л. Полупроводниковые пленочные термоэлементы в качестве датчиков радиационных температур.- Инж.-физ. журн., 1971, 20, № 4, с. 633-641.

272. Дашевский 3. МДоброхотова М. ЛЕмельянова Л. Н. и др. Исследование свойств диэлектрических подложек для высокочувствительных пленочных термоэлектрических датчиков излучения.- Электротехн. пром-сть. Сер. Хим. и физ. источники тока, 1982, № 5, с. 3-5.

273. Грегор Л. В. Нанесение диэлектрических пленок из газовой фазы.- В кн.: Физика тонких пленок / Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. М.: Мир, 1968. Т. 3.

274. Вирзель Ф. Б. Некоторые специальные применения низкотемпературной плазмы.- В кн.: Плазмохимические реакции и процессы. М.: Наука, 1977.

275. Виноградов Г. Я., Гельфгат Д. М., Дашевский 3. М. и др. Исследование свойств тонких.пленок, полученных методом плазмохимической полимеризации циклогексана.- Электронная техника. Материалы, 1979, вып. И, с. 101-106.

276. Хадсон Р. Инфракрасные системы М.: Мир, 1972. 534 с.

277. Криксунов Л, 3. Справочник по основам инфракрасной техники. М.: Сов. радио, 1978. 400 с.

278. Шоль Ж., Марфан Я., Мюнш М. и др. Приемники инфракрасного излучения. М.: Мир, 1969. 283 с.

279. Козырев Б. Я. Работы Л ЭТИ по тепловым приемникам излучения для актинометрии и радиометрии.- В кн.: Тепловые приемники излучения. Л., 1971, с. 3-11.

280. Brown D. А. Я., Chasmar Я. Р., Tellgett Р. В. The construction oi radiation thermocouples using semiconducting thermoelectric materials.- J. Sci. Instrum., 1953, 30, N 6, p. 195-199.

281. Купчинский О. Я., Богомолов Я. Л., Заболотский Я. Я., Есаулов Я. Я. Полупроводниковые и напыленные вакуумные термоэлементы и термостолбики для спектральных измерений.- Опт.-мех. пром-сть., 1961,. № 8, с, 27.

282. Ando Е. Radiation thermocouples with (Bi, Sb)2(Te, Se)3.- Jap. J. Appl. Phys., 1972, 11, N 7, p. 986-991.

283. AstheimerR. W., Weiner S. Solid gacked evaporated thermopile radiatiom detectors.- Appl. Opt., 1964, 3, N 4, p. 493-500.

284. Chase S. C. Infrared radiometer for the 1969 Mariner mission to Mars.- Appl. Opt., 1969, 8, N 3, p. 639-643.

285. Strafsudd O., Stevens N. Thermopile performance in the far infrared.- Appl. Opt., 1968, 7, N 11, p. 2320-2322.

286. Stevens N. B. Semiconductors and semimetals. Vol. 5. Infrared detectors. N. Y.; L.: Acad, press, 1970.

287. Тимофеев Ю. В., Кондратов A. Я., Чудновский А. Ф. Приемник излучения на основе пленочной термобатареи.- В кн.: Термоэлектрические материалы и пленки: Материалы Всесоюз. совещ. Л.: Наука, 1976, с. 247-250.

288. Малыгин Е. Л., Милонов В. Я., Козорезов М. П. Исследование свойств, пленочных термоэлементов.- В кн.: Нитевидные кристаллы и тонкие; пленки. Воронеж, 19V5, ч. 2, с. 255-360.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [ 75 ] [76]

0.0008