Главная  Интегральные схемы 

[0] [1] [2] [ 3 ] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86]

Толщина ето,25дбА5ми г-шштгт

J, кремния


Рис. 1.3. Метод диффузии при изготовлении ИС.

Процесс изготовления интегральной схемы довольно сложен и требует тщательности и точности выполнения. Прежде чем приступить к изготовлению микросхемы, выращенный кристалл кремния нужно разрезать на тонкие, как лист бумаги, пластины, как показано на рис. 1.3. Эти пластины затем шлифуются и полируются (с той стороны, которая будет использована для изготовления активных элементов). Обратная сторона пластины полируется только в специальных случаях. Во всех остальных случаях она оставляется шлифованной.

Шлифовка производится при помощи абразива (обычно это алунд), до тех пор пока не исчезнут все видимые следы резки. Только одна сторона пластины многократно полируется полировальными пастами со все более мелкими зернами. На последней стадии производится химическое травление, чтобы




Корпус -Схема

Пластина

Рис. 1.4. Сборка интегральных схе.м.

удалить все нарушения поверхностного слоя, возникшие при полировке.

Следующий этап - это процесс диффузии, который осуществляется в специальной печи, в атмосфере, содержащей атомы примесей, куда помещается тщательно отполированная пластина. Печь показана на рис. 1.3. Атомы примесей служат для того, чтобы придать ИС требуемые электрические характеристики. Концентрация атомов примесей, вводимых в пластину с помощью диффузии, задается путем поддержания нужной температуры в печи и времени, в течение которого пластина находится в ней. После того как вся пластина будет равномерно легирована примесями, начинается собственно изготовление полупроводниковых приборов. Таким образом одновременно могут быть изготовлены несколько сотен микросхем (рис. 1.4).

Пленочные микросхемы

Пленочные микросхемы отличаются от полупроводниковых, описанных выше, тем, что их элементы получаются не с помощью диффузии примесей в подложку, а наращиваются слоями на подложке (обычно керамической) посредством осаждения, трафарет-



ной печати, травления либо путем сочетания этих операций. При помощи этой технологии изготавливаются только пассивные элементы, поскольку она не позволяет создавать активные элементы. Установка активных компонентов и электрические соединения между ними выполняются почти так же, как в обычных интегральных схемах или транзисторах осуще-ствляется приварка внешних выводов.

Гибридные микросхемы

Гибридными можно назвать такие ИС, при изготовлении которых либо объединяются схемы двух или нескольких типов (т. е. пленочные и полупроводниковые), либо ИС одного или нескольких типов и дискретные компоненты. Конструкции гибридных ИС показаны на рис. 1.5, Основное преимущество гибридных микросхем перед другими типами состоит в их конструктивной гибкости. Этот тип ИС находит широкое применение при мелкосерийном выпуске электронных устройств и изготовлении высокочастотных схем специального назначения.

В гибридной технологии могут быть применены различные элементы и схемы, например дискретные компоненты, которые электрически и механически совместимы с интегральными схемами. Они используются для выполнения дополнительных функций, которые невозможно реализовать в составе полупроводниковых ИС, и могут быть изготовлены, испытаны и собраны по такой же технологии и на том же оборудовании. Готовые микросхемы поставляются в виде не смонтированных в корпуса кристаллов (бескорпусная микросхема). Такие кристаллы, как правило, идентичны по своим функциям тем, которые поступают в продажу в рамках основной номенклатуры изделий предприятия - изготовителя микросхем. А чтобы получить законченную высококачественную микросхему, потребитель должен соответствующим образом присоединить выводы и смонтировать ее в корпус. Эти микросхемы обычно герметизируются для защиты от механических и атмосферных воздействий. Соединительные проводники из золотой проволоки диаметром 0,025 мм присоединяются к соответствующим выч



[0] [1] [2] [ 3 ] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86]

0.0008