Главная  Интегральные схемы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [ 7 ] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86]

Следующий щаг позволяет определить тип транзистора. Для этого измеряется сопротивление между выводом базы и любым другим выводом. Если низкое сопротивление получится, когда к базе подключен отрицательный полюс омметра, то транзистор -> рпр-тша. Низкое сопротивление, замеренное при соединении базы с положительным полюсом омметра, указывает на транзистор прп-тша.

Проверка биполярных транзисторов

Обычно можно считать, что транзистор, который работает в соответствии со своими паспортными характеристиками по рабочему напряжению, рассеиваемой мощности и температуре, имеет неограниченный срок службы. Неисправности транзисторных схем чаще всего вызываются повреждением или неправильной работой каких-либо других компонентов. Особенно это касается случаев, когда используются малогабаритные трансформаторы и электролитические конденсаторы. Несмотря на высокую надежность самих транзисторов, их неисправности случаются из-за коротких замыканий или обрывов в цепях смещения, кратковременных перегрузок, механических повреждений и даже ощибок при обслуживании аппаратуры.

Существует много различных тестеров и анализаторов транзисторов. Некоторые из них измеряют только ток утечки и коэффициент усиления по току, тогда как другие могут измерять все параметры транзисторов. С точки зрения обслуживания достаточно нескольких простых измерений, чтобы обнаружить больщинство неисправностей. Такие измерения, как будет описано ниже, позволяют обнаружить короткие замыкания, обрывы и повыщенную утечку и обеспечивают грубую проверку наличия усиления по току. К счастью, для этого требуется минимум оборудования. Для некоторых таких измерений нужен только омметр. Более тщательные измерения можно выполнить при помощи всего нескольких дополнительных компонентов.

Проверка рп-переходов

Транзистор содержит два рп-перехода, или диодные структуры. Главные характеристики транзистора



связаны с «поведением» переходов, тогда как остальные его части служат лишь для соединения с ними. Неисправность транзистора поэтому объясняется в большинстве случев неправильной работой одного из выпрямляющих переходов. Дефект может заключаться в обрыве или коротком замыкании перехода или в слишком большом обратном токе (токе утечки).

Приближенную, но вполне приемлемую проверку состояния переходов можно сделать при помощи омметра. В первую очередь измеряется прямое сопротивление каждого перехода. На рис. 1.10 показана схема включения транзистора рпр-гииа. Отрицательный полюс омметра соединен с базой. Прямое сопротивление обоих переходов измеряется поочередным касанием эмиттерного и коллекторного выводов транзистора положительным полюсом омметра. Высокое сопротивление означает обрыв перехода. Нормальный переход должен иметь сопротивление менее 500 Ом. Соблюдайте описанные выше предосторожности в случае применения омметра. Прямое сопротивление переходов транзистора прп-тииа можно измерить точно таким же способом, как показано на рис. 1.10, но сменив полярность щупов омметра.

Чтобы проверить, нет ли короткого замыкания или повышенного тока утечки, нужно поменять полярность омметра и переключить его на измерение более высокого сопротивления (рис. 1.11). Омметр подает обратное смещение на каждый переход по очереди, и на стрелочном приборе регистрируется ток утечки*


Омметр (шкала RxlQO;

Рис. 1.10, Метод проверки прямого сопротивления обоих пере* кодов. (С любезного разрешения фирмы Philips ECG Inc.)



Если прибор показывает низкое сопротивление, то это означает, что в переходе замыкание или повышен ток утечки. У германиевых транзисторов малой и средней мощности обратное сопротивление должно быть не менее 500 кОм.

Типичное значение сопротивления, получаемое при помощи омметра на шкале RXIOk, составляет от 700 кОм до 1,5 МОм. Кремниевые транзисторы имеют гораздо более высокое сопротивление. Мощные транзисторы имеют большие по размерам переходы,

Омметр (шкала) RxlOK)


Рис. 1.11. Метод проверки обратного сопротивления обоих переходов. (С любезного разрешения фирмы Philips ECG Inc.)

и поэтому токи утечки в них также больше. Для мощных транзисторов обратное сопротивление переходов должно быть 50 кОм или выше.

Проверка обратного сопротивления «р/г-транзисто-ров должна производиться при полярности выводов омметра, противоположной показанной на рис. 1.1 L Обратите внимание на то, что измеренное численное значение сопротивления в омах не имеет физического смысла, так как омметр измеряет только линейные сопротивления. Величина этого сопротивления в омах различна для разных омметров и меняется даже при переключениях диапазона измерений. Указанные здесь минимальное и максимальное значения соответствуют большинству практических случаев. Чтобы повысить точность проверки транзисторов омметром, нужно сравнить измеренные сопротивления с их значениями, полученными для заведомо исправного транзистора того же типа.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [ 7 ] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86]

0.0009