Главная  Электрооптические эффекты 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [ 50 ] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78]

в растворе посторонних частиц. На электродах возникает осадок. В связи с изменением в рассеянии света, уровне тока и качестве изображения ЖКИ панели, работающей на постоянном токе, имеют долговечность менее нескольких тысяч часов, причем работа при температурах, превышающих комнатную, в несколько раз уменьшает долговечность.

Электрохимические реакции обусловливают паразитные эффекты старения при работе на постоянном токе [3.45]. Этим можно объяснить возрастание тока при увеличении толщины ячейки, изменение времени нарастания и затухания. Существует процесс частичной регенерации, противодействующий электролизу и обеспечивающий сравнительную большую долговечность приборов при работе на постоянном токе. Этим процессом является диффузия или миграция ионов, создаваемых на электродах в результате электролиза нейтральных частиц, к центру ячейки, где они вновь образуют нейтральные молекулы. Срок службы ограничивается тем, что некоторые из реакций рекомбинации не дают первоначальных молекул из-за наличия примесей.

ГЛАВА 4

ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ИНДИКАТОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ЖИДКИХ КРИСТАЛЛАХ

Основой технологии микроэлектроники являются групповые методы производства, в которых одной из базовых технологий является тонкопленочная. Ряд технологических процессов тонкопленочной технологии, разработанных для интегральных схем, с успехом применяется для производства индикаторных устройств на ЖК. Это термическое напыление в вакууме, пульверизация, фотолитография для получения конфигурации элементов, методы сборки, герметизации и др. (рис. 4.1) [4.1]

Выбор конструкции ЖКИ осуществляется исходя из требований конструктивного размещения его в радиоэлектронном устройстве. Геометрические размеры ЖКИ в основном определяются размерами индицируемых знаков, герметизирующим слоем, а также выводами от электродов. При разработке топологии ЖКИ проводят



размещение электродов, диэлектрических прокладок, герметизирующих участков и выводов на стеклянных пластинах. Затем рассчитывают геометрические размеры каждого элемента ЖКИ и задают их взаимное расположение на двух стеклянных пластинах. Изготовляются топологические чертежи и определяются координаты точек пленочных элементов. По координатам прово-

Разра-

ботка ЛИ¥-

Изготов-

cmpifHiiUU

ление

а состав-

фотоори-

пение то-

зинала

тподии

Рзготов-лете

фотошаблонов

Химическая

Получение

обработка и ообготовна

электропрв-вобящих

стекол

прозрвчнь/х покрытий

Фотолитография длектропро-

вобяиих прозрачных пленок

Напыление хрсм-мебб-нинель

Напыление алюминиевого отражательного электроба

Фотолитография лро-вобящих cmpi/ктрр хром-мебб-никелб и алюминия

Нонтроло

Припайка

Гермети-

Заполнение

Оборка и

злектро-

гибких

зация

оптических

гребен ча-

технологи-

икбикатора

<•

гермети-

параметров

тогх

ческих

жибкам

зация

вогвобов 1

отверстий

кристаллом

Рис. 4.1. Схема технологического процесса ЖКИ

дят вычерчивание конфигурации увеличенных до 20 раз элементов каждого слоя на стекле, покрытом эмалью или органической пленкой, т. е. осуществляют изготовление фотооригинала. Для этого используют координатографы. Затем изображение на фотооригинале посредством фотосъемки на прецизионной фотокамере умень-щается до масштаба 1:1 - изготовляется фотошаблон. Контроль размеров элементов на фотошаблоне осуществляется на универсальном измерительном микроскопе УИМ-23, а оптическую плотность определяют на двулучевом регистрирующем микрофотометре ИФО-451.

4.1. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК

Выбор электродных подложек и способов очистки их поверхности. Электродная подложка индикаторного устройства на ЖК является его базисным конструктивным основанием, на поверхности которого формируются электроды индикаторного устройства. Материал под-



ложки, метод ее обработки и физическое состояние ее поверхности определяют условия конденсации, структу- РУ и электрофизические свойства наносимых пленок и в конечном счете электрооптические параметры и качество индикаторного устройства.

Подложки, используемые для изготовления индикаторов на ЖК, должны обладать минимальной шероховатостью поверхности, высокой механической прочностью, достаточной твердостью и износостойкостью, высокой теплопроводностью. Они должны быть также химически инертными и максимально прозрачными. Большинству пред-ьявляемых требований удовлетворяют подложки на основе стекла.

Чистота обработки и качество поверхности являются важнейшими параметрами подложки. От состояния поверхности зависят не только структура и свойства наносимых на нее пленок, но и последующая ориентация ЖК, а следовательно, электрооптические параметры индикаторных устройств, их воспроизводимость. Поэтому шероховатость поверхности подложек должна быть не ниже 13-14 класса обработки. Однако свойства наносимых пленок определяет не только шероховатость, но и чистота поверхности подложки. Поэтому перед нанесением пленок поверхность подложек подвергается очистке: удалению жировых пленок, различных органических и неорганических загрязнений, влаги с поверхности подложки.

Существуют различные способы и их сочетание для очистки стеклянных подложек, каждый из которых имеет свои достоинства и недостатки. Типовая очистка поверхности стеклянных подложек состоит из следующих операций: промывка в моющем растворе перекиси водорода, аммиака, дистиллированной воды, промывка в проточной дистиллированной воде, кипячение в дистиллированной воде, очистка в парах изопропилового спирта. Эффективная очистка стеклянных подложек осуществляется при выдержке их в течение 4 ч в хромпике (К2СГ3О7) с последующей промывкой в проточной и дистиллированной воде, обезжиривании в кипящем трихлорэтилене (3 мин) и его парах (3 мин), выдержке в концентрированной азотной кислоте (1 мин), промывке в деионизованной воде и сушке на центрифуге в течение 1 мин.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [ 50 ] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78]

0.0012