Главная  Электрооптические эффекты 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [ 57 ] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78]

зволяет проградуировать шкалу измерительного прибора непосредственно в единицах площади, занимаемой порами. При определении AS/S за AR в первом приближении можно принять то изменение сопротивления элемента, которое имеет место за время протравливания двухслойной структуры, не защищенной слоем фоторезиста. В конструкции ЖКИ устройств применяют проводящие тонкопленочные слои на основе ЗпОг, ТпгОз, отражающих А1, Ni, Ли системы Сг -Си -Ni, V-Си -Ni для контактных площадок, а также диэлектрические пленки SiO, GeO и др.

Травление пленок двуокиси олова. Электропроводящие прозрачные пленки из ЗпОг обладают высокой адгезией к стеклянным подложкам и стойкостью к агрессивным средам. Их высокая химическая стойкость, наряду с положительными свойствами при эксплуатации в устройствах отображения информации, затрудняет технологический процесс проведения фотолитографии при создании заданной конфигурации электродов.

Известны следующие способы травления пленок ЗпОг: в соляной кислоте с применением цинка в качестве катализатора; восстановление металла из ЗпОг с одновременным его травлением; электролитическое осаждение меди на не. защищенные фоторезистом пленки с последующим анодным растворением меди совместно с пленками окиси олова и др. [4.22].

Исследован способ травления пленок ЗпОг в соляной кислоте с применением катализатора в виде тонкой пленки цинка, которая наносилась на поверхность требуемой конфигурации [4.23]. Использование пленочного цинкового катализатора при травлении пленок ЗпОг позволяет ускорить технологический процесс, равномерно и полностью проводить удаление пленок с не защищенной фоторезистом поверхности подложки. Время травления в 207о-ном растворе соляной кислоты составляло 80... 90 с, а в концентрированной - 30... 40 с. При этом фоторезистивная пленка не разрушается, а затем легко снимается в щелочном растворе.

Травление алюминия, хром - медь - никеля. Для травления слоев алюминия используется 45%-пая Н3РО4. В случае травления тонких слоев никеля при фотолитографии известен травитель 65 мл СНзСООН-Ь -Ь35 мл HNO3-b0,5 мл НС1. Для выводов от электродов ЖКИ применяют систему контактов хром - медь - ни-



ТАБЛИЦА 4.2 СОСТАВЫ ТРАБИТЕЛЕЙ И РЕЖИМЫ ТРАВЛЕНИЯ СЛОЕВ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК И ЭЛЕКТРОДОВ ЖКИ

Состав травителя

Режим травления

Составпленки

температура °С

Время, с

SnOs Си-N1

20»/) НС1 + цинковая пудра Г HNO3 -600 мл IHsO -400 мл ( NaOH -20 г

Кз[Ре(СК)в1-300 г 1 Н2О - 1000 мл 450/0 НзРО

25 60...70

25 70...80

25...30 30...85

40...45 20...30

кель. На сплошных слоях структуры хром - медь - никель создается необходимая конфигурация контактных площадок. Составы травителей для ее изготовления и режимы проведения травления приведены в табл. 4.2.

Удаление слоя фоторезиста. Удаление защитного рельефа с подложки можно осуществить следующими способами: химическим, механическим, термическим или плазменным. Способ удаления фоторезиста должен обеспечивать не только быстрое и качественное удаление фоторезиста, но и не оказывать влияния на размещенные тонкопленочные электроды. Механически[ способ удаления фоторезиста связан с появлением рисок, царапин на пленочном покрытии, что совершенно недопустимо. Термический - вызывает окисление защитного покрытия. Поэтому наиболее часто используется химический способ удаления фоторезиста.

Слой фоторезиста удаляется с поверхности подложки в каждом конкретном случае определенным раствором для выбранного фоторезиста и для структуры тонкопленочного покрытия. Усовершенствование процессов формирования слоя фоторезиста на подложке, исследование применения новых типов фоторезистов, режимов экспонирования и травления должны обеспечить повышение производительности технологического процесса, увеличить качество конфигурации электродов на пластинах индикаторных устройств на жидких кристаллах.

Масочные методы получения конфигурации в тонких пленках. При этом методе конфигурацию получают с помощью масок. После испарения материала на подложку, закрытую маской и снятия ее, на подложке получается



йлёнка йз испаряемого материала в виде конфигураций трафарета. Масочный метод объединяет два способа получения конфигурации слоя: через пленочную (кон-такную) маску и свободную (с помощью съемного металлического затеняющего трафарета) маску.

Конфигурации элементов через контакную маску получают в следующем порядке: на очищенную подложку вакуумным напылением наносят тонкий слой около 0,3... 0,5 мкм материала, хорошо поддающегося травлению, например, медь, алюминий, а на этот слой - фоторезист, после чего проводят процесс фотолитографии. В результате на поверхности подложки остается пленочный трафарет-контактная маска. Затем на подложку напыляют сплошной слой,- например, электропроводящей прозрачной пленки. Подложка с напыленным слоем помещается в травитель Для,материала контактной маски, в котором она растворяется, и увлекает с собой лежащий на ней слой, а на подложке остается электропроводящая прозрачная пленка определенной конфигурации. Метод контактной маски позволяет получить узоры пленочных слоев любой сложности с вы-сокой точностью. Основной недостаток конткатных масок - одноразовое их использование. Поэтому, если требуется невысокая точность геометрических размеров, применяют свободные металлические маски.

Для производства съемных масок обычно используют ленту бериллиевой брон-

зы толщиной 0,1-0,2 мм. Ее

ЩШШ очищают, промывают, просу-гуШ]Ш4ШИ шивают и покрывают слоем фоторезиста, на который с

фотошаблона контактной печатью переносится узор слоя. После фотообработки на не защищенные слоем фоторезиста участки бронзы электрохимическим способом наносят слой никеля толщиной Рис. 4.5. Технологичегкий ОКОЛО 10 МКМ. Оставшийся Т%"оТоГоГГкГ- фоторезист снимают, затем





[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [ 57 ] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78]

0.0008