Главная  Нормальная работа рэа 

[0] [1] [2] [3] [4] [ 5 ] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60]

Четвертый элемент - указатель разновидности типа данной разработки. Например: транзистор КТ315Б - кремниевый маломощный высокочастотный, номер разработки - 15, разновидность Б.

Обозначение полупроводниковых приборов, разработанных после 1977 года, состоит из пяти элементов. Первый и второй элементы обозначения остались прежними. Третий элемент - указатель основной характеристики (однозначное число) данного типа прибора. Четвертый элемент - указатель порядкового номера разработки (трехзначное число). Пятый элемент - указатель разновидности данного типа (буквы от А до Я). Например: транзистор KT3I07A - кремниевый высокочастотный, номер разработки - 107, разновидность А.

Интегральная микросхема (ИС) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки соединенных элементов или кристаллов. ИС с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

По виду обрабатываемых сигналов различают аналоговые и цифровые ИС. Аналоговая ИС - микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся непрерывно. Частным случаем аналоговой ИС является линейная микросхема, обладающая линейной характеристикой. Цифровая ИС - микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Частный случай цифровой ИС - логическая микросхема для выполнения логических операций с дискретными сигналами.

По конструктивно-технологическому исполнению различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковых ИС все элементы и соединения выполнены в единой технологии. В пленочных ИС элементы и соединения выполнены в виде пленок. При изготовлении гибридных ИС в основном используют две технологии: пассивные элементы изготовляются по пленочной технологии, активные - по полупроводниковой.

В зависимости от количества Л элементов (активных) на кристалле различают простые, средние, большие и сверхболь-,шие ИС. Для простых микросхем Л 10, для средних - 10 < /V < 100, для больших - 100 < jV < 1 ООО и для сверхбольших - N > 1000. Число содержащихся в ИС элементов является показателем её сложности, которая характеризуется степенью интеграции К = IgA. Наибольшей степенью интеграции обладают полупроводниковые ИС. Наряду с



высокой технологичностью они имеют и ряд недостатков. К ним относятся паразитные связи между компонентами, ограниченный диапазон сопротивлений и конденсаторов. Гибридные ИС, обладая меньшей степенью интеграции, лишены недостатков полупроводниковых ИС. Аналоговые и цифровые ИС выпускаются в виде серий, представляющих собой совокупность выполняющих различные функции ИС, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного применения. Каждая из серий характеризуется степенью комплектности.

Условное обозначение интегральных микросхем состоит из четырех элементов. Первый элемент - цифра, обозначающая группу по конструктивно-технологическому признаку: 1, 5, 7 - полупроводниковые, 2, 4, 6, 8 - гибридные, 3 - пленочные, керамические, вакуумные и др. Второй элемент - цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии от О до 999. Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональное назначение и характеристику (табл. 1.10).

Таблица 1.10. Функциональное назначение ИС

функциональное назначение

Характеристика

Буквенное обозначение

Генераторы

Гармонических сигналов Прямоугольных сигналов (в том числе автоколебательные мультивибраторы, блокинг-генераторы и др.)

Линейно изменяющихся сигналов Сигналов специальной формы Шума Прочие

ГС ГГ

ГЛ ГФ ГМ ГП

Детекторы

Амплитудные

Импульсные

Частотные

Фазовые

Прочие

Коммутаторы и ключи

Тока

Напряжения Прочие

кт кн

Логические элементы

Элемент И-НЕ Элемент ИЛИ-НЕ Элемент И Элемент ИЛИ Элемент НЕ Элемент И-ИЛИ Элемент И-НЕ/ИЛИ-НЕ Элемент И-ИЛИ-НЕ

ЛА ЛЕ ЛИ ЛЛ ЛН ЛС ЛБ ЛР



Фуншнональьср назначение

Характеристика

Буквенное обозначение

Элемент И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ Элемент ИЛИ-НЕ/ИЛИ Расширители Прочие

ЛК ЛМ

Многофункциональные схемы

Аналоговые Цифровые Комбинированные Прочие

ХА ХЛ

хк хп

Модуляторы

Амплитудные

Частотные

Фазовые

Импульсные

Прочие

МС МФ

Наборы элементов

Диодов

Транзист оров

Резисторов

Конденсаторов

Комбинированные

Прочие

ИД ИТ ЧР НЕ

Преобразователи

Частоты Фазы

Длительности

Напряжения

Мощности

Уровня (согласователи)

Код-аналог

Анало--код

Код-код

Прочие

ПС ПФ ПД ПН

ПУ ПА

ПР ПП

Схемы вторичных

источников

питания

Выпрямители Преобразователи Стабилизаторы напряжения Стабилизаторы тока Прочие

ЕВ ЕМ ЕН ЕТ ЕП

Схема задержки

Пассивные

Активные

Прочие

БМ БР БП

Схемы селекции и сравнения

Амплитудные (уровня сигналов)

Временные

Частотные

Фазовые

Прочие

СА СВ СС СФ СП



[0] [1] [2] [3] [4] [ 5 ] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60]

0.0008