Главная  Усиленная люминесценция 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [ 48 ]

Re R. Rr

Лк(/?т)

Ry я

r, r,

S, S{x) 5Г"(5Г")

\Srif)

Smax / r>0 max.

s T T„ 7-k

u(v)

(в стационарном ре-

- импульс электрона

- добротность резонатора

- отношение сигнал/шум

- число генерируемых квантов жиме)

- объемный заряд

- скорость безызлучательной рекомбинации

- скорость возбуждения

- скорость генерации

- скорость образования электронио-дырочиых за счет ударной ионизации (туннелирования)

- скорость люминесценции

- скорость рекомбинации, стимулированной люминесценцией (усиленная люминесценция)

- последовательное сопротивление диода площадью 1 см

- скорость люминесценции в расчете иа единичный спектральный интервал

- радиус экситона

- коэффициент отражения (-го зеркала

- радиус-вектор

- радиус головки стримера

- плотность светового потока (иитеисивность света)

- мощность (световой поток) генерации

- минимальное (максимальное) значение мощности генерации, удовлетворяющее техническому заданию

- индикатриса генерируемого излучения

- флуктуации мощности генерации

- мощность (световой поток) люминесценции

- интенсивность люминесценции в максимуме спектральной полосы (при t=Q)

- плотность светового потока, выходящего из образца толщиной d

- плотность светового потока, падающего иа образец

- площадь р - л-перехода

- температура

- температура испытаний

- период колебаний мощности генерации

- критическая температура лазера

- переходная температура

- рабочая температура

- период повторения ультракоротких импульсов

- температура криостата

- время

- время деградации

- время задержки генерации

- длительность импульса возбуждения

- длительность импульса генерации

- длительность ультракороткого импульса генерации

- электрическое напряжение

- спектральная плотность излучения

- плотность генерируемого излучения в активной области

- пороговая плотность излучения накачки

u(v, Q) V

Vr Vc Vt

W4v) 1Гс„(у)

Xo У

z a a„

P(Pi)

6(x) е(еж, Ek)

£l(£2)

Tlr Цг Tl„p

max Mmax

*e(*,)

- спектральная плотность излучения в расчете иа единичный телесный угол Я и одну поляризацию (е=1,2)

- оператор взаимодействия вещества и поля

- объем активного вещества

- электростатический потенциал р - /г-перехода

- матричный элемент оператора взаимодействия

- дрейфовая скорость электрона

- скорость стримера

- скорость электрона

- групповая скорость света

- удельная мощность генерации

- удельная мощность люминесценции

- удельная мощность спонтанного излучения

- ширина активной области

- ось координат

- индекс в химических формулах типа Al;,Gai xAs

- полная (спрямленная) длина пробега электрона в кристалле

- ось координат

- атомный номер

- ось координат

- параметр нелинейности

- коэффициент ударной ионизации

- удельный коэффициент усиления при возбуждении током (внешним излучением)

- параметр двухфотонного поглощения

- удельный коэффициент усиления при возбуждении пучком быстрых электронов

- параметр оптического ограничения

- число свободных электронов, возникающих в активной области под действием одного быстрого электрона

- спектральная ширина уровня энергии

- спектральная ширина линии поглощения

- дельта-функция

- диэлектрическая проницаемость (жидкости, кристалла)

- доля энергии, поглощаемой на первом (втором) зеркале резонатора

- коэффициент полезного действия

- отношение разности электронных токов в п- и р-об-ластях к полному току, проходящему через диод

- внутренний квантовый выход генерации

- внешний квантовый выход генерации

- предельное значение КПД

- максимальный КПД при / = const

- максимальный КПД при Кп = const

- угол, определяющий ориентацию вектора Л,-,

- угол, определяющий ориентацию вектора 6mi

- угол дифракционной расходимости излучения

- приближенное значение малого угла дифракционной расходимости

- внешний (внутренний) угол между лазерным лучом и гранью



х{у.,,) - 1максимальное значение коэффициента поглощения

(при переходах /-<-/)

>с(Си) - волновой вектор фотона (фотона накачки)

Л - постоянная фазовой ренлетки

х(/.) длина волны (генерируемого) излучения

ал ~ спектральная ошрина линии поглощения (излучения) в шкале длин волн - подвижность электронов

V - частота излучения

\=! - - частота в-шкале, см

v„ - частота возбуждающего излучения

Vi (Avr) -частота (ширина линии) генерации

\„„„ - частота инверсии

\ф„„ - частота фонона

Av - спектральная ширина линии поглощения (излучения) в шкале частот

S - угол между векторами Д, и Вш

р - удельное сопротивление

р - коэффициент внутренних оптических потерь

Pa(p,iac) -коэффициент внутренних оптических потерь активной (пассивной) области

рд - коэффициент дифракционных потерь

Рр - коэффициент рассеяния

о„ - механическое напряжение в кристалле

ае - коэффициент уси-иения в расчете на один электрон

(сечение усиления)

т - коэффициент оптического пропускания

Та фон (гс.фои) - время потери энергии электронов в результате его взаимодействия с акустическим (оптическим) фононом

Тд - среднее время деградации лазера

т„„„ - время действия импульса электрического поля стри-

мера на электрон

Тр - ресурс (срок службы) лазера

J tJ - постоянная, примерно равная ресурсу при кТЕ

J Теп - время жизни электронов, обусловленное спонтанной

J рекомбинацией

2 . Тт - время туннелирования

J Тф - время жизни фотонов в резонаторе

у То - время жизни электронов в активной среде

у- ф - угол, определяющий ориентацию вектора D,„i

J - волновая функция поля

t - волновая функция системы вещество + поле

гз, - волновая функция /-го состояния вещества

3 q -телесный угол

до) - круговая частота

д Шк - частота незатухающих колебаний мощности гене-

д рации

1) о), - циклотроиная частота

и\ « ЗС



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [ 48 ]

0.0008