Главная  Микропроцессорные системы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [ 30 ] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92]

Такие схемы становятся ненужными, если в кристалле ОЗУ используются общие выводы для входных» выходных сигналов, как это показано на рис. 3.15. На этом рисунке изображена упрощенная (без входных и выходных усилителей) функциональная схема статического МДП ОЗУ емкостью в 1024 ячейки со словарной внутренней разрядной организацией вида 256X4.

Шина адреса

0-4,-

МатричноеЗУ 32x32

ГП t

Рогичесмя схема Чтение/Запись

Чтенае/3апис1,

Во УИгЩ Вход/выход данных

Рис. 3.15. Функциональная схема статического МДП ОЗУ с общий входом - выходом данных

Такое ОЗУ может хранить 256 четырехразрядных слов. Для выбора требуемого Слова используется пятиразрядный дешифратор строк и трехразрядный дешифратор столбцов, выбирающий одно из восьми слов в строке. Для расширения памяти до требуемого объема используются управляющие входы ВК, на которые подается комбинация сигналов, определяющая выбор конкретного кристалла ОЗУ.

Несколько иной вид имеет функциональная схема динамического МДП ОЗУ. Такое ОЗУ емкостью 4096 ячеек, организованных в одноразрядные слова 4096X XI, изображено на рис. 3.16. Так как запоминающими элементами в этой динамической схеме служат конденсаторы, то их заряд время от времени должен восстанавливаться. Восстановление заряда осуществляется с помощью специальной схемы регенерации, содержащей в своем составе таймер, задающий период регенерации. Эта схема автоматически осуществляет подзарядку конденсаторов всех запоминающих ячеек



не реже чем один раз за 1-2 м,с. Как правило, одновременно обновляется заряд на всех емкостях, расположенных в одном столбце, после чего через промежуток времени, задаваемый внутренним таймером, подзаряжаются конденсаторы следующего столбца, и т. д. Во время регенерации цепи передачи данных и адреса блокируются. Остальные элементы рассматри-

Мпадшие разряды

шины адреса.

Чтение/Запись В К-

Вход данных

ДШ строк и буферный регистр

Массив памяти 64 к 6

Схема регенерации

Схема управления и ffx/вых

Усилители

ДШ столбцов и бу/рерный регистр

Выход данных

As As

Старшие разряды шины авреса.

Рис. 3.16. Функциональная схема динамического МДП ОЗУ

ваемой функциональной схемы в основном не отличаются от .соответствующих элементов схем ОЗУ статического типа.

С точки зрения пользователя наличие внутренней схемы не является существенным и поэтому при общей организации памяти микро-ЭВМ динамические ОЗУ используются так же, как и статические.

Функциональные схемы ПЗУ и ППЗУ. В отличие от ОЗУ, функциональные схемы ПЗУ и ППЗУ не имеют такого многообразия. Они различаются в основном емкостью, разрядностью запоминаемых слов и числом входов ВК. Внутриразрядная организация ПЗУ всегда словарная. Типовая схема ПЗУ на 512 восьмираз-94



Выход Занных Во В, Пе Вт

tt> tt

рядных слов приведена иа рис. 3.17. Управляющий сигнал на входе ВК может отключать буферный регистр от входной шины данных.

Отличие функциональных схем ППЗУ от ПЗУ сводится, главным образом, к наличию специального входа для электрического программирования памяти (этот вход показан на рис. 3.17 штриховой линией). В остальном оба типа схем аналогичны.

Организация многокристальной памяти. Остановимся кратко на вопросах организации общей памяти требуемого объема из нескольких БИС. Необходимый объем па.\(яти и разрядность слоз могут быть получены путем ее наращивания как «по горизонтали», так и «по вертикали».

Горизонтальное наращивание позволяет получить требуемую разрядность памяти при фиксированном ко-

ВК

буферный

регистр

Вход

программы

Матрица ПЗУ snxe

Дешифратор

•• Входные j/canumenu

Шина адреса

Рис. 3.17. Функциональная схема ПЗУ (ППЗУ)

Чтение/Запись

Выдор

кристалла

югих1

WZM,

Вх/Вых ; Вх/вых

ОЗУ WZixi

Вх/вых

ШинО! adpeci

Шона данных

Рис. 3.18. Иллюстрация способа горизонтального наращивания памяти для получения требуемого объема и разрядности

личестве слов. Наращивание «по вертикали» обеспечивает получение требуемого объема памяти при фиксированной разрядности.



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [ 30 ] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92]

0.0008