базы постоянен:

\ВХ экв АВХ ЭКВ

а приведенный ток базы

(6.14)

(6.15) (6.16)

Rbxskb = RsK-f Яяоп, Rnon - сопротивление дополнительного резистора, который может быть включен в цепь базы. Подставив ф-лы (6.12), (6.13) и (6.15) в (6.11), найдем

/б = Шб = п if == п2£к 5

t\BX экв IABX 3i

а = 1 - Еб1пЕк,

1к(0 = £к

Следовательно,

(6.17)

Теперь найдем заряд в базе Q{t); он определяется из уравне-

ния заряда

dQ it) ,Q(t) . ti\

при 1б(0 =/б == const и начальном условии Tg£„ f а I \

(6.18)

Q(0) = Qrp(0) =

Q(t) = Q(oo)-[Q(oc)-Q(0)U

(6.19)

где Q(c»)=Th/6,

Подставив ф-лы (6.19) и (6.17) в (6.10), получим трансцендентное уравнение относительно искомой длительности импульса t = tti, которое можно приближенно решить графически.

Рассмотрим случай, когда можно не считаться с инерционностью транзистора. Такой случай имеет место при формировании сравнительно длительных импульсов блокинг-генератором на высокочастотных транзисторах; при этом много больше постоянной времени накопления Тн (полагаем далее, что Тн л* тц « рТа).

Заряд в 6a3eQ{t) = Q{oo)=rj6= г1бгпЕк- значения Q{t) и Qrp (О в ф-лу (6.10), найдем

Рис I

Rbx i

. Подставляя

(6.20)

Обычно р»rt, поэтому, пренебрегая вторым членом правой части ф-лы (6.20), найдем

Ъпа 1

ВХ ЭКВ

(6.21)

Заметим, что при /?доп Rb-k длительность практически не .зависит от входного сопротивления насыщенного транзистора:

\доп н/

(6.22)

Вместе с тем изменением /?доп можно регулировать длительность импульса в широких пределах.

fit,

Рис. 6.4

Из ф-лы (6.22) и рис. 6.4 очевидно влияние различных параметров схемы на длительность импульса. Так, например, рост индуктивности намагничивания Lk влечет за собой рост длительности импульса (с ростом Lk уменьшается скорость роста тока намагничивания / и замедляется процесс рассасывания заряда). Увеличение нагрузки (уменьшение R„) приводит к сокращению (рост iu приводит к росту 1к и, следовательно, к росту скорости рассасывания заряда в базе). Увеличение (уменьшение коэффициента а) приводит к уменьшению отрицательного напряжения на базе, что вызывает уменьшение тока базы и степени насыщения транзистора и, следовательно, уменьшение <„. Аналогично можно проанализировать влияния к, tl, р. Заметим, что с ростом температуры растет р и увеличивается длительность формируемого импульса.

Теперь рассмотрим влияние инерционности транзистора на длительность импульса.

Из рис. 6.46, где изображены графики Qrp (О и Q{t) в соответствии с ф-лами (6.17) и (6.19), видно, что при формировании

импульса, длительность которого меньше Зтр, инерционность транзистора вызывает сокращение длительности формируемого импульса (и < t„).

Рассмотрим теперь случай, когда С ф О, Re Ф 0.

В этом случае ток базы ie убывает по мере заряда конденсатора по экспоненциальному закону (током в резисторе Re пренебрегаем)

n£„-«c (0)

Rbx экв " вх экв

где Тс = CR 3,,. «с (0) = «бз « -б. а = 1 - «с (0)/«£„ = I Приведенный ток базы

б(0 = тб(0 = £к-

и согласно ф-ле (6.П)

«•к(0 = £к

Следовательно,

с I + -

(6.23)

(6.24) (6.24а)

(6.25)

Теперь найдем заряд в базе Q(t); он определяется путем решения (например, операторным методом) уравнения заряда:

паЕ,,

Rbx экв ""р

~С \Rh Rbx экв / Р

. (6.26)

Подставив выражения (6.25) и (6.26) в (6.10), получаем для искомой длительности t == tn трансцендентное уравнение

- + - - (-+ yV

к >

-fve Р =0,

(6.27)

где y

?вхэкв(-Vc) Можно показать [18], что при выполнении условия

rkIl + 1/тс < ару?>/У?вх эквТр

(6.28)

ур-ние (6.27) имеет единственный положительный корень, определяющий величину ta. Этот корень можно определить графо-аналитически; для этого нужно построить кривые Qrp (О и Q(t) и найти абсциссу точки их пересечения <рис. 6.5а).

При /и > Зтр получим приближенное равенство

вх экв (• V С>

(6.29)