у выбранного транзистора допустимое коллекторное напряжение должно удовлетворять условию

Uk доп > кхЕк, (6.44) а допустимый коллекторный ток -

f к лоп макс, (6.45)

где ki учитывает выброс напряжения на коллекторе [см. ф-лу (6.34)]; обычно выбирают

= 1.2-1,6. (6.46)

Если используется шунтирующая цепочка Нш, Ди то ki можно выбрать близким к единице. Таким образом, параметры выбранного транзистора должны удовлетворять условиям (6.40), (6.44) и (6.45).

Заметим, что условие (6.45) иногда трудно удовлетворить; в таком случае ограничение коллекторного тока может быть достигнуто включением резистора Rk последовательно с коллекторной обмоткой. При этом можно использовать транзисторы с меньшим током доп, выбрав Rk Ек/к доп. Включение Rk приводит к уменьшению амплитуды импульса на коллекторной обмотке, вследствие чего при заданной величине С/,д вых необходимо увеличить коэффициент трансформации «н.

Выбор Ее. Так же, как в ключах, триггерах и т. д., выбираем £6=(l-i-3)B.

Выбор коэффициента трансформации п. Выбираем п = we/ws близким к оптимальному значению Ио согласно ф-ле (6.9) и так, чтобы удовлетворялись условия отпирания и насыщения транзистора (6.9а).

Выбор С, Ro. Возможны различные варианты выбора этих параметров; один из них заключается в следующем.

Величину Re определяем из двух условий:

6<1о7-. " (6-47)

•ко макс

RcXlO-i-Щ Rbx. (6.48)

где /ко мако -значение /«о при максимальной температуре.

Условие (6.47) вытекает из требований температурной стабильности длительности восстановления (6.38). Условие (6.48) обеспечивает малое ответвление тока в резистор Re, во время формирования импульса.

Емкость С определяем по длительности восстановления <вос 7"мнн - („; согласно (6.39)

C<W/3/?6; (6.49)

следует убедиться в том, что полученное значение С удовлетворяет условию

Тс > То, т. е. что СУ?вх>Р-7Г~Г~ Может оказаться, что при выбранных тран-

зисторе и резисторе Re невозможно удовлетворить ограничениям и сверху в снизу на емкость С. Тогда целесообразно включить в цепь базы дополнительный резистор Rnon, тем самым будет увеличено эквивалентное входное сопротивление Rbxskb =RBx+RnoK и станет возможным выполнение неравенств тс > Тр, Тс Тцпри меньших значениях С.

Отметим также возможность ускорения восстановления путем шунтирования резистора Re диодом Да (рис. 6.la, пунктир).

Выбор индуктивности Ек производим по заданной длительности ti, импульса, например, из ф-лы (6.29):

<и?вхзкв(-У-С) (6 50

нли пз ф-лы (6.22) без учета нагрузки (У?„ = оо):

iK >.и/?вх экв/Р«а. . (6.50а)

При выборе конкретной величины L„ необходимо иметь в виду следующее.

Величина Lk должна быть достаточно большой с тем, чтобы -j--jj-» Тц,

вх экв I

так как при этом можно не учитывать влияние Lk на процесс формирования фронта импульса. Однако при чрезмерно большой индуктивности иамагничивания потребуется трансформатор с большим числом витков, сердечник с большим ц и большими габаритами; последнее приведет к росту паразитных параметров, в частности индуктивности рассеивания Le (кстати, заметим, что пренебречь

влиянием Ls на процесс формирования фронтов можио при условии

к II р

•вх экв н

<С Tcjj. Вместе с тем при малом Lk может оказаться настолько большим максимальный ток иамагничивания

;кмакс = £к/-к, (6.51)

что не будет выполнено требование (6.45). Следовательно, необходимо, чтобы

/.к>-е"кнДкдоп. (6.51а)

Выбрав некоторую величину индуктивности Lk, удовлетворяющую условиям (6.50), (6.50а) и другим указанным требованиям, необходимо проверить выполнение усчовия (6.28).

По значениям Lk и п выбирается стандартный или проектируется импульсный трансформатор (см. разд. 1.7); при этом важно обеспечить малые паразитные параметры Ls и С.

Выбор Нш и Д1. Сначала определяем допустимую амплитуду выброса напряжения Д{/тк на коллекторе, Так как ин е макс Ок доп, то из ф-лы (6.35) получаем

ЛС/„к<-7-£к. (6.52)

С другой стороны, считая процесс спада тока намагничивания апериодическим в контуре - r„), найдем

Д,пк = /макс(шн)- . (6.53)

Отсюда определяется величина Rm, АС/тк вычисляется по ф-ле (6.52). Диод Д1 выбирается из уоговия, чтобы допустимый прямой ток /д1 диода был не меньше /к мако, а допустимое обратное напряжение - не меньше f/im. Наконец, следует определить согласно ф-ле (6.36) максимальное напряжение на эмиттерном переходе и проверить, не превосходит лн оно допустимой величины.

Проверка выполнения условия регенеративного процесса (6.4). Определяем длительность ts выброса (6.32а) и сравниваем с длительностью восстановления вос (должно быть <ввос); ПО выбрэнным Параметрам уточняем длительности фронтов импульса.

Определяем среднюю мощность, рассеиваемую транзистором, и сравниваем с допустимой величиной.

6.2.4. СПОСОБЫ ЗАПУСКА И СНЯТИЯ ВЫХОДНОГО ИМПУЛЬСА

0ЙЙ0

Рис. 6.6

Прежде всего отметим широко применяемую схему запуска при помощи специальной дополнительной обмотки трансформатора ьуз (рис. 6.6); при этом запускающие импульсы e{t) могут иметь положительную или отрицательную полярность.

На том же рис. 6.6 показан способ подачи на коллектор через разделительный диод положительных запускающих импульсов,, которые трансформируются в цепь базы в отрицательной полярности. Сразу же после начала процесса опрокидывания ди- 9~я

од запирается и связь блокинг-генератора с генератором импульсов e{t) прекращается (предполагается, что амплитуда запускающих импульсов меньше амплитуды импульсов напряжения на коллекторе).

Другой вариант схемы запуска, обеспечивающей прекращение связи между блокинг-генератором и генератором запускающих импульсов e{t), приведен на рис. 6.7. Здесь запускающий импульс отрицательной полярности подается через эмиттерный повторитель (транзистор Г,) на базу транзистора Гг блокинг-генератора. Малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя обеспечивает большой ток базы Гг и, следовательно, высокую скорость отпирания Гг. Во время опрокидывания напряжение Ыб резко

падает; если амплитуда запускающих импульсов e{t) меньше амплитуды напряжения щ (последняя практически равна пЕ), то транзистор Ti запирается и генератор e{t) оказывается отключенным от блокинг-генератора.

После окончания импульса, формируемого блокинг-генератором, напряжение Ыб быстро возрастает, транзистор Ti отпирается и конденсатор С быстро разряжается через базовую обмотку и малое выходное сопротивление эмиттерного повторителя.

Таким образом, данная схема обладает еще одним достоинством- малым временем восстановления. Однако в ряде случаев выходное сопротивление эмиттерного повторителя может оказаться

iVT контура иС{и~