Rbxti - входное сопротивление Ti, включенного по схеме ОЭ;

Иэ2 == - RJs = - (Р, + 1) ieiRs, (4.26)

так как ig - isi и ток igi эмиттера Ti в активном режиме равен (Pi + l)/6..

С учетом ф-л (4.25) и (4.26) найдем из (4.24)

«r+/?BxTl + (Pl+l)«s • -

Для определения иве рассмотрим эквивалентную схему рис. 4.146, где транзистор Г, представлен гемератором тока Piiei, а Га - генератором тока /ко2. Из этой схемы

,. (£K-Plt6li?Ki) Ik 02 {R +Rki) Re

R + Rki + R6 R + Rki + Rc Обычно Rki <.R, n последнюю формулу можно переписать в виде

ие=-1 (£к + /к02?- Mki), (4.28)

где I =/?б/(/? +/?б) - коэффициент деления делителя RRe.

Если теперь подставить выражения (4.28) и (4.26) в ф-лу (4.23) и разрешить неравенство относительно ieu то получим условие запирания Tz:

61 /б мин - (p, + i)/?3 + gp,/?,, • (4-29)

Правая часть (4.29) определяет минимальное значение входного тока базы /б мин, при котором транзистор Гг еще остается запертым; при «61 < 6 мин транзистор Гг открыт и, следовательно, если входной генератор не обладает достаточной мощностью {Rr чрезмерно велико), чтобы обеспечить ток /g, >/g триггерный режим схемы невозможен.

Выразив 161 через входное напряжение (4.27), найдем из ф-лы (4.29) условие запирания Гг

е > ео, (4.30)

g[r+BxTl + (P.+ l)/a](g , J..

&Мк. + (Р.+ 1)Лэ к + /ко2А!). (4.31)

Если входной генератор обладает достаточной мощностью, так что i?r + BxTi (Pi-f 1)/?э, то из ф-лы (4.31) найдем

При е ео происходит обратное опрокидывание триггера в исходное устойчивое состояние; поэтому напряжение ео называют порогом обратного срабатывания или порогом отпускания.

Условие насыщения Г]. Полагая Re и R много большими сопротивлений Ruu Rr, Rs и считая насыщенный транзистор Т

эквипотенциальной точкой (рис. 4.14в), запишем:

RKiRs + RKiRr + RrRs

EARr + Rs)~eRs ,34.

Условие насыщения Ту piigi > Iki с учетом ф-л (4.33) и (4.34) принимает вид

е>ек, (4.35)

i + l)Rs + Rr р .43gy

"~ (Р. + 1)/?э + Р./?к. "

определяет минимальный уровень входного напряжения, при котором происходит насыщение транзистора Ti в рабочем режиме. При /?г<(р1 + 1)/?э и 3,» 1

Из сравнения ф-л (4.32) и (4.37) видно, что всегда ео < Вв, так

как ё = /?б/(/? + /?б)< 1.

При переключении триггера из исходного режима в рабочий транзистор Tl может сразу [т. е. при е - ei +0(ei)] оказаться либо в режиме насыщения, если ei > Вн, либо в активном режиме, если 6] < Ен. Подставив в последние неравенства значения ei и Ен из ф-л (4.21) и (4.37), получим, что Ti оказывается в режиме насыщения при

Rki>Rk2 (4.38)

и в активном режиме при Ri < Rk2.

Условие наличия гистерезиса. Статические режимы триггера имеют место согласно ф-лам (4.19) и (4.30) при е < ei ri е >• Ео. Поэтому нормальная работа триггера возможна только тогда, когда

Во < е,. (4.39)

В противном случае, как это видно из рис. 4.15, схема теряет свойство гистерезиса, т. е. триггер превращается в обычный двух-каскадный усилитель с обратной связью.

С учетом ф-л (4 20) и (4.21) условие (4.39) принимает вид

Rk2 + Rs IMK.-f (Р. + 1)/?э (к + /ко2/?). (4.40)

Следовательно, параметры схемы триггера должны быть выбраны так, чтобы с учетом допусков, а также температурного и временного дрейфов они удовлетворяли условию (4.40).

Пренебрегая в неравенстве (4.40) малыми величинами /koi/г, IkozR, Rbxti и учитывая, что Pi.» 1, получим условие наличия гистерезиса:

Ыэ (Rki - Rk2 + - Rs) = =- R.2 + R.--(4.41)

Правая часть формулы определяет максимально допустимю величину выходного сопротивления Rt мат генератора е((), при

Rr макс -

Рабочий режим

---\

Исходный режим Рис. 4.15

котором сохраняется триггерный режим. Если Rr задано, то параметры триггера должны в наихудшем случае удовлетворять условию (4.41).

4.6.3. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ

Рассмотрим качественно переходные процессы, возникающие при переключений триггера с эмиттерной связью.

Пусть триггер находится в исходном состоянии (например, при е = 0 Ti закрыт, Гг насыщен). При подаче отрицательного входного импульса достаточной амплитуды на базу Ti отпирается эмиттерный переход Ti и начинается рост коллекторного тока t„i, который практически полностью идет через ускоряющую емкость С и базу Гг, благодаря чему происходит рассасывание заряда в базе Гг. Через некоторый промежуток времени /р Гг переходит в активный режим.

С этого момента в схеме возникает регенеративный процесс, завершающийся через время /рег запиранием Гг; при этом, если емкость С достаточно велика, коллекторное напряжение транзистора Г] сохраняет большое отрицательное значение и к концу регенерации Ti остается в активном режиме. Однако как только запирается транзистор Гг, ток iki, который замыкался через С и базу Гг, пойдет теперь через Rm и транзистор Ti может сразу же оказаться в режиме насыщения [если выполняется условие (4.38)].