Главная  Нормальная работа рэа 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [ 12 ] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60]

Та бя и ц а 3.9. Генераторы измерительные (низкочастотные)

Диапазон частоты, Гц

Вид сигнала

Погрешность установки частот, %

Нестабильность частоты (за 15 мин)

Выходное напряжение. В (нагрузка. Ом)

Нестабильность

ВЫХОДНОГО

напряжения

Коэффициент гармоник, %

ГЗ-106

20...200.10

Синусоида Импульсы *

±20.10-"/

5(600) 5(600)

±1%

0,3...1

ГЗ-109

20...200-10"

Синусоида

±(1..2+у-)

±10.10="/

2X15(50); 5(5) 50(600);150(5000)

0,5..,2

ГЗ-120

5...500-10"

Синусоида Импульсы *

±(3+)

±(2.10-/...±5-10-V)

5(600) 5(600)

0,3...1

ГЗ-111

20...2-10

Синусоида Импульсы *

±(3+f)

5(600) 10(600)

0,3...2

ГЗ-117

20...200-10

Синусоида

+ 1(2.10- + +0,01)...(2- 10-"/ + + 10)1, Гц

5(50); 5(600)

0,2...0,3

* Импульсы прямоугольной формы, скважность 2.



Таблица 3.10. Генераторы измерительные (высокочастотные)

Диапазон частот, МГц

Нестабильность частоты, Гц

Частота модуляции, кГц

Коэффициент А.М, %

Выходное напряжение (мощность)

Г4-102А

1-10-...50

2-10-"f+lO

1 (внутр., AM) 0,05... 15 (внешн., AM)

0...90

10-...0,5В (калибр.) 1 В (некалибр.)

Г4-107

12,5...400

2,5-10-7

1 (внутр., AM) 0,05...200 (внешн., .А.М) 0,05...10 (внутр., ИМ) 0...10 (Чм)

0...90

0,5 от уровня в режиме непрерывной генерации для AM, ИМ; 1...10" "Bp режиме непрерывной генерации

Г4-154

МО-...50 (погрешность установки ±0,01%)

i-io-"f

0,05...10

0...99 (погрешность установки 10%)

2,8 Вт (погрешность установки 10%)

Г4-158

10~...100 (погрешность установки ±0,001%)

1-10~V

0,3...20

0...100

1-10-...2



Таблица З.П. Приборы для измерения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем

Назначение

Измеряемая величина, пределы измерения

Погрешность измерения, %

Режимы измерения

Л2-69

Л2-70

Л2-64

Л2-60

Измерение статических параметров моидных транзистороо и диодов

Измерение статических параметров мало-моидных транзисторов и диодов

Измерение и контроль статических параметров маломощных и мошных полевых транзисторов

Определение годности логических интегральных схем с количеством выво-

Статический коэффициент передачи тока А;,!-5...9990; напряжение насыщения - 0,05... 10 В; обратные токи /gg, /„о-10-... 10- А; начальный ток /.э„ач-10-...10-А; обратный ток диодов - 10-1..10- А; прямое напряжение диодов - 0,05... 10 В Статический коэффициент передачи тока А2;э 1-5...9990; напряжение насыщения - 0,05...10 В; обратные токи lgg, 4да-10-..10-А; начальный ток кэ нач-10-...0- А;

обратный ток диодов - 10-... 10-А; прямое напряжение диодов - 0,05... 10 В Ток утечки затвора - 0,3-10-1.,10- А; ток утечки стока - 0,3-10-...10- А; постоянный ток стока - 0,03...200 мкА; импульсный ток стока - 0,05...30 А; пороговое напряжение (напряжение отсечки) - 0,1...30 В; крутизна при постоянном токе - 0,05... 100 мСм; крутизна при импульсном токе - 0,01..,3 См; выходная проводимость-0,3...1000 мкСм; сопротивление сток-исток - 3...I000 Ом Напряжение постоянного тока ±(0,1...30) В Входной ток - (0,03...3) мА

±(5...30)

±(2,4...6) ±!0

±(5...14)

±(8,7...15)

±10 ±(8,7.,.15)

±-5

±4 ±4

Напряжение 0,5 ..200 В

0,1...50 А

Напряжение 0,5...200 В ток

0,1...100 мА

Напряжение затвора и подложки - до 30 В; напряжение стока - до 200 В

Напряжение: лог «О» - 0,2...3 В Лог «I» - до 10 В



[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [ 12 ] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60]

0.001