|
|
|
Главная Нормальная работа рэа [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [ 23 ] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] метрические стабилизаторы с высокостабнльными термоком-пенсированными стабилитронами В структурной схеме источника образцового напряжения компенсационного типа, приведенной на рис 4 23, а, используется дополнительная стабилизация питания усилителя УС2 и схемы сравнения СС2 ктен1г и!55лаз+6в ивх гоком 16 •- • кг908 20ком нтвн1,2 , 16 \ и 6x1 R2 ± г.чном рис 4 п Схемы стабилизаторов с применением интегральных микросхем К142ЕН!,2 а) С токовой защитой и схемой выключения (К155ЛАЗ) 3- резистор защиты пор (вых + 0 5) б) на повышенные токи нагрузки в) для высоких напряжений W.v-UbxI W =- ЯЪ - резистор защиты  рис 4 18 Схема стабилизаторов с применением интегральных микросхем КИ2ЕН 5, 8, 9 а - на номинальное напряжение стабилизации б - на повышенное напряжение стабилизации + о Вход DA И 817EH I 25, "a - o- 50,0 Выход Вход DA H817EH1 15 , С 50,0 Выход
Рис 4 19 Схема стабилизатора с использованием микросхемы К817ЕН! - о Вход DA H8I7EH2 -125 15 1С DA Н817ЕН2 Ю Выход Выход Рис 4 20 Схема стабилизатора с использованием микросхемы К817ЕН2
Таблица 4.5. Параметры термокомпенсационных стабилитронов Характеристик
Вход Вход DA НМП617еН5 . ю ~ РАНМП817ЕН5 да] bs 50,0 Выход 50,0 Выход Рис. 4.21. Схема стабилизатора с использованием микросхемы КМП817ЕНЗ DA НМП8!7ЕН4
Рис. 4 22 Схема стабилизатора с использованием микросхемы КМП817ЕН4 [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [ 23 ] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] 0.0009 |