Четвертый элемент - указатель разновидности типа данной разработки. Например: транзистор КТ315Б - кремниевый маломощный высокочастотный, номер разработки - 15, разновидность Б.

Обозначение полупроводниковых приборов, разработанных после 1977 года, состоит из пяти элементов. Первый и второй элементы обозначения остались прежними. Третий элемент - указатель основной характеристики (однозначное число) данного типа прибора. Четвертый элемент - указатель порядкового номера разработки (трехзначное число). Пятый элемент - указатель разновидности данного типа (буквы от А до Я). Например: транзистор KT3I07A - кремниевый высокочастотный, номер разработки - 107, разновидность А.

Интегральная микросхема (ИС) - микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки соединенных элементов или кристаллов. ИС с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

По виду обрабатываемых сигналов различают аналоговые и цифровые ИС. Аналоговая ИС - микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся непрерывно. Частным случаем аналоговой ИС является линейная микросхема, обладающая линейной характеристикой. Цифровая ИС - микросхема, предназначенная для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. Частный случай цифровой ИС - логическая микросхема для выполнения логических операций с дискретными сигналами.

По конструктивно-технологическому исполнению различают полупроводниковые, пленочные и гибридные ИС. В полупроводниковых ИС все элементы и соединения выполнены в единой технологии. В пленочных ИС элементы и соединения выполнены в виде пленок. При изготовлении гибридных ИС в основном используют две технологии: пассивные элементы изготовляются по пленочной технологии, активные - по полупроводниковой.

В зависимости от количества Л элементов (активных) на кристалле различают простые, средние, большие и сверхболь-,шие ИС. Для простых микросхем Л 10, для средних - 10 < /V < 100, для больших - 100 < jV < 1 ООО и для сверхбольших - N > 1000. Число содержащихся в ИС элементов является показателем её сложности, которая характеризуется степенью интеграции К = IgA. Наибольшей степенью интеграции обладают полупроводниковые ИС. Наряду с

высокой технологичностью они имеют и ряд недостатков. К ним относятся паразитные связи между компонентами, ограниченный диапазон сопротивлений и конденсаторов. Гибридные ИС, обладая меньшей степенью интеграции, лишены недостатков полупроводниковых ИС. Аналоговые и цифровые ИС выпускаются в виде серий, представляющих собой совокупность выполняющих различные функции ИС, имеющих единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного применения. Каждая из серий характеризуется степенью комплектности.

Условное обозначение интегральных микросхем состоит из четырех элементов. Первый элемент - цифра, обозначающая группу по конструктивно-технологическому признаку: 1, 5, 7 - полупроводниковые, 2, 4, 6, 8 - гибридные, 3 - пленочные, керамические, вакуумные и др. Второй элемент - цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии от О до 999. Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональное назначение и характеристику (табл. 1.10).

Таблица 1.10. Функциональное назначение ИС